局部平整度相关论文
国际上集成电路制造已经使用300mm硅片,实现特征线宽45nm的生产技术,但对国内材料厂家而言,能够大批量生产的最大直径硅片仅有150m......
随着汽车电子,消费电子和物联网市场等多样化芯片需求的快速增长,200mm硅片在半导体市场中有相当高的占有率。随着集成电路特征线......
抛光后的局部平整度(SFQR)参数是表征硅片抛光质量的重要指标之一,也是抛光过程较难优化的几何参数之一。分析了不同的化学腐蚀处......
砷化镓双面抛光片的平整度不仅影响光刻过程中的对焦精度,而且双抛过程中的边缘过抛现象,即砷化镓晶片边缘去除速率增加,使得在后......
随着集成电路特征线宽的不断减小,集成电路所需硅片直径越来越大,对硅片质量的要求也越来越高。在大直径直拉硅片的生产中如何保证......
随着半导体集成电路的发展,硅片的直径逐渐增大。虽然小直径硅片仍采用单面抛光加工,但为追求较好的抛光质量,双面抛光已逐渐成为......
在直径300mm Si片制备过程中,利用双面磨削技术能获得高精度的表面参数,但同时却会在Si片表面留下明显的磨削印痕,这会影响Si片表......
