带-带隧穿相关硕士博士期刊学术论文 - 信丰网

带-带隧穿相关论文

应力对体硅和硅纳米线特性影响的第一性原理研究

鉴于应变硅技术在当今集成电路领域的广泛应用，本论文利用基于密度泛函理论的第一性原理计算集中研究了应力对体硅和硅纳米线物理、......

学位

应变硅第一性原理有效质量带-带隧穿传输特性 ATK

高开关电流比隧穿场效应晶体管器件机理与结构研究

随着MOSFET特征尺寸不断减小,器件短沟道效应等负面影响日益加剧。传统MOSFET器件亚阈值摆幅由于受到KT/q的理论限制,已经接近60mV......

学位

隧穿场效应晶体管亚阈值摆幅带-带隧穿压电极化效应应力集中

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