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2011年5月5日上午消息,英特尔在旧金山展示了一项全新的3D晶体管技术,可以在性能不变的情况下,将处理器能耗降低一半。英特尔宣布......
当前业界都在谈论FinFET——可以说,这是MOSFET自1960年商用化以来晶体管最大的变革。几乎每个人———除了仍然热心于全耗尽绝缘......
世界科技摇篮信息时代先驱──ＡＴ＆Ｔ贝尔实验室吴晓江美国电话电报公司（ＡＴ＆Ｔ）贝尔实验室，是现代世界第一流科研机构，是２０世纪和２１世纪世界科技，尤其是......
本文提出一种用一次扩散获得不同硼杂质浓度和结深的器件制造方法,它是利用高浓硼杂质穿透二氧化硅层的选择扩散来实现的。采用这......
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