应力感应漏电流相关论文
通过测量界面陷阱的产生，研究了超薄栅nMOS和pMOS器件在热载流子应力下的应力感应漏电流(SILC)．在实验结果的基础上，发现对于不同器件......
在现代CMOS技术中,纳米尺度pMOS器件的NBTI、SILC问题已经成为工业生产中影响电路性能的一个重要问题。当CMOS工艺技术进入到超深......
当 CMOS 技术进入到 45nm 技术代以后,将需要利用高 K 栅介质材料替代传统的 SiO2或 SiNxOy栅介质以克服其不可接受的高的栅泄漏电......
随着MOs器件尺寸的缩小和栅氧化层厚度的减薄,栅泄漏变得愈发显著,对CMOS器件和电路可靠性的影响也愈发严重,成为限制器件及电路寿......
