开关速度相关论文
近年来，随着电力电子技术的快速发展，传统的Si材料由于自身物理特性限制，以其为基底的电力电子器件已不能满足高效率、高功率密度和其......
针对电光Q开关速度快的特点,提出基于射频场效应管电光调Q驱动电路的设计方法。通过选择电磁对称性器件,多个电容并联,元器件及走......
应用时间分辨技术研究了富勒烯溶液的激发态吸收瞬态功率光限幅特性,在实验条件下,其功率光限幅的开关速度约为5ns。
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(上接第6期第60页)(4)应用电路图24至图26示出了M57959L、M57959AL、M57962L和M57962AL的应用电路。图中的栅极电阻RG的取值非常重......
自去年7月以来,三菱电机发布了一系列碳化硅(SiC)功率模块,这些产品将于今年6月18日至20日在上海世博展览馆举行的“PCIM亚洲展201......
<正>问现在,多数变频器采用IGBT器件,而老的变频器用的是GTR器件,请问它们之间的区别是什么?该怎样识别变频器采用的是IGBT还是GTR......
1问:IGBT的基本概念是什么?答:IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)也称为绝缘栅双极型晶体管,它本质上是一个场效应晶体管MO......
针对高压降压DC-DC(直流转直流转换器)输入电压范围宽的特点,设计了驱动电路通过钳位电路设定高压的驱动电压,同时通过源极跟随提......
期刊
在工频机UPS中,整流器使用的功率器件为晶闸管,逆变器使用的功率器件为IGBT。而在工频机UPS中,整流器和逆变器使用的功率器件均为......
本文介绍的移相器特点是:通过相对直流电位差的原理实现开关MESFET多极性控制信号的增容,并在超宽带频率范围内,不影响微波电性能,......
全文主要内容分为以下几个部分:第一部分阐述了光开关的概念、基本类型和应用范围.简述其研究背景、进展和发展方向并概括了全文的......
负折射率奇异材料的一个缺点是会吸收通过的红外光,美国加州大学的研究人员化劣势为优势,利用它设计了一种新型的光开关(调制器),......
高电压MOSFET技术在过去几年中经历了很大变化,给电源工程师带来了不少选择.只要提供有关不同技术的使用指南,就可以帮助工程师选......
CMOS的未来已经在产业界和学术界引起了极大的关注。CMOS有望在未来15年内继续生存下去。大多数人会认为这是由于制造工艺实现了等......
1.技术概述rnVK05 CFL是一种用于驱动微型荧光灯的自振荡转换器,采用意法半导体的VIPower M3-3专利技术制造而成,允许在同一芯片上......
针对RF MEMS开关释放时间过长的问题,提出了在开关梁上设计一个上悬梁的方法,以增大开关梁所受压膜阻尼,抑制开关梁在平衡位置附近......
两通插装阀控制技术是一项新型的液压控制技术，在液压机领域得到了广泛的应用。实际工作中液压机要面对许多复杂的工况，因此在产品设......
针对RF MEMS开关释放时间过长的问题,提出了一种电压控制方法有效地缩短了开关的释放时间,提高了开关的速度。这种方法无需修改器......
开关式电源变换器的小型化主要是通过高频化和高密度化来实现的。而高频化带来的一个严重问题是开关损耗的增大。本文提出的具有最......
新型的电力电子器件MOSFET和IGBT克服了传统的电力电子器件如SCR只能开通不能关断的缺陷．但关断速度依然限制开关速度的提高．本文给......
0引言通常功率场效管内部（栅-源极间）制作了一个保护用的齐纳二极管,由于该齐纳二极管的存在,也将使MOSFET管的栅极输入电容增大。因......
研究了热光开关的基本原理与光开关阵列的基本构成 ,给出了相关的主要性能参数。包括开关速度、隔离度、回波损耗、插入损耗等。实......
用溶胶-凝胶法及重复旋转涂膜法制备了乙基红偶氮染料与聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）掺杂聚合物薄膜样品，测量薄膜样品的全光开关特性的结......
固态继电器是一种全部由固态电子元件组成的新型无触点开关器件,它具有控制灵活,工作可靠,体织小,开关速度快,无机械触点,防爆耐振......
利用LiNbO3的电光效应,设计了一种新型的光开关.它不但避免了外加半波电压这一瓶颈,而且继承了传统开关开关速度快这一优点,为光通......
无槽无刷电机,由于其便捷的控制特性,作为高性能的传动机构,代表了交流电机的发展方向之一。该文理论分析了他控变频以及正弦波控......
采用0．18μm标准CMOS工艺，设计并流片验证了一种新型的低电压高速CMOS锁相环电荷泵。该电荷泵电路适合低电压工作，电源电压仅为1V。该......
利用有限元法分析了调制区内二维温度场的静态和动态分布．结果表明，上包层SiO2厚度的减小，有利于开关速度的提高和功耗的减小．增加埋层......
比较研究了在稳态条件下两种偶氮苯聚合物(双偶氮苯和单偶氮苯)光致异构效应的全光开关过程.结果表明,双偶氮苯的开关速度远远快于......
项目简介在快恢复二极管的参数中反映二极管开关速度的参数通常是用trr来表征。但是，在实践过程中trr存在许多不确定性。首先，相同的......
单向导通二极管（ＦＷＤ）的反向恢复电流和开关速度等参数，必须与功率晶体管相匹配。本文分析了半桥逆变器中ＩＧＢＴ与ＦＷＤ相关波形及其开关能耗，提出了二......
与双极型晶体管相比,MOSFET器件更节能、更易于驱动,但在实际应用中,常常发现MOSFET器件的开关速度与数据手册上给出的参数差异很......
新型碳化硅功率半导体器件在近些年来发展迅速,获得越来越多的关注。相较于传统硅器件,碳化硅器件由于材料属性在电压等级、开关速......
目前,国内绝大部分矿井的副井罐笼,既升降人员又升降物料,罐笼进出口多使用上下滑动栏杆式罐帘门或转轴式内开折页门。主要有井口......
主要对有效加快晶体三极管开关速度的方法展开了探讨,详细阐述了晶体三极管的开关过程和开关时间,并给出了一些有效加快晶体管开关......
日前，Microsemi（纳斯达克：MSCC）宣布推出一个新的PIN二极管微波开关驱动器系列，该产品具有小于10毫微秒的开关速度，达到了最新技术发展水......
ADI近日宣布推出小型隔离式栅极驱动器,这些产品专门针对碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等电源开关技术所需的更高开关速度和系统尺寸限制而......
通过对双极晶体管生产工艺的理论分析,结合在双极磷扩线上实验所获得的数据,阐述双极晶体管的生产工艺中开关时间的控制因素,以及......
碳化硅MOSFET具有导通电压低、开关速度极快、驱动能力要求相对低等特点,是替代高压硅MOSFET的理想器件之一。将额定电压、电流相......
