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近年来,由于碳化硅（SiC）双极器件在超高压（>5000 V）应用领域优越的性能,SiC PiN二极管、双极结晶体管（BJTs）和绝缘栅双极型晶体管（IGBTs）等......
本文主要从理论上和实验上研究了硅材料、工艺与太阳电池少子寿命的关系.采用微波光电导衰减法对材料的少子寿命进行分析、测量.当......
为了更好地了解P型4H-SiC的电学特性,评价其晶体质量,利用激光和微波技术作为非接触、非破坏性测量半导体特性的一种工具,详细描述......
