微波功率晶体管相关论文
一、引言固态发射机最突出的特点是可靠性很高,平均无故障间隔时间MTBF很长(一般达10~5～10~6小时)以及重量轻、体积小、效率高等。......
锗硅技术因其良好的集成功能以及优越的高频性能而在微波功率器件领域和射频集成电路领域中得到了广泛的应用，而制造高线性度的微波......
给出了低电压微波SiGe功率异质结双极型晶体管(HBT)的器件结构和测试结果.器件结构适于低压大电流状态下应用.采用了梳状发射极条......
针对雷达、通信、遥控遥测等领域对硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)微波大功率管的迫切需求,开展了硅LDMOS微波功率晶体管的亚......
报道了一种高增益高效率 S波段硅脉冲功率晶体管的研制结果。该器件在 f=2 .4～ 2 .6GHz,D=1 0 % ,τp=1 0 0 μs,Vc=36V条件下输出......
利用旁路电容来补偿为了获得器件高可靠性,而引入的大整流电阻所导致的高频增益低落问题.在大于共发射极截至频率fβ的较宽频带内......
首次采用多晶硅发射区RCA技术制备出微波功率晶体管.在工作频率为3.1 GHz时,该器件输出功率达到6 W,功率增益达到10 dB.与普通多晶......
提出了晶体管自身组态与电路组态匹配的思想,介绍了一种微波功率晶体管的金属气密封装--选极F型封装技术.还介绍了1.5GHz和2.0GHz......
通过研究SiGe异质结双极型晶体管(HBT)的温度特性,发现SiGe HBT的发射结正向电压随温度的变化率小于同质结Si双极型晶体管(BJT).在......
首先提出了硅脉冲双极型微波功率晶体等在应用中会出现功率增益、饱和压降以及EB结反向击穿电压参数的退化现象，并对此进行了研究探......
介绍了硅双极型微波功率晶体管的发展历史和应用现状。针对硅脉冲微波功率器件增益退化的失效模式，通过对硅脉冲微波功率器件直流参......
微波功率晶体管是微波功率放大器中的核心器件，其热性能在很大程度上决定于封装管芯的管壳。针对某型号的微波功率晶体管在进行生产......
针对雷达、等离子体射频源、广播通信等领域对LDMOS大功率器件的迫切需求,通过热仿真优化了芯片版图布局,通过芯片级Load-pull仿真......
<正> 近十年来,由于卫星通讯、相控阵雷达、电子对抗等军事电子学的高度发展,对微波功率晶体管可靠性提出越来越高的要求,器件工作......
