微波集成电路相关论文
介绍了砷化镓材料和器件中高频电场的分布测量的新方法——谐波混频脉冲电光检测:它的原理、实验装置以及在砷化镓共平面波导中微......
传统的低频噪声无损检测方法在实际应用中,存在检测信号丢失、低频信号被平滑处理等问题,为解决上述问题,设计一种针对微波集成电......
科锐公司宣布推出两项新型GaN工艺:0.25微米、漏极电压最高为40V的G40V4和0.4微米、漏极电压最高为50V的G50V3。新的工艺技术增加......
据中国国防科技信息网报道,美国诺格公司研发出新的砷化镓(GaAs)E波段单片微波集成电路(MMIC)高功率放大器APH667和APH668,工作频......
随着现代数字微波通信技术的发展,对微波收发信本振源的频率稳定度、频谱纯度、频率范围和波道数目提出了越来越高的要求.该论文将......
人工神经网络和遗传算法是两种以生物学为基础的现代优化算法，因其优越性而被广泛应用于诸多领域。本文主要研究二者在微波设计中的......
缺陷接地结构(DGS)是近年来在光子带隙(PBG)结构的基础上发展而来的一种新结构。DGS是通过在微波电路的接地板上蚀刻出周期的或非......
最近用微波集成电路构成一定数目的电子微型组件,包括参量放大器、接收机、相控阵雷达等,由于消除了包装所引起的寄生量,所以微波......
虽然GaAs FET(砷化镓场效应晶体管)的性能至少可根据几何形状和掺杂等因素大致加以预测,但其可靠性只能靠实测加以确定。金属结构......
文中详细介绍了一种微带一微槽双重接头的作用机理,并在微带一微槽过渡接头和魔T的设计中得到证实,表明它可在微波集成电路中有广......
(一)引言 随着微波集成电路的飞跃发展,微带线得到了日益广泛的应用。为了减小其损耗及使其能用于更高的频率,进一步提出了悬置微......
本文概述八十年代国内外片式元件硬其在微波集成电路中的应用,并提出今后可能的发展趋势。
This article outlines the applicati......
本文通过“合成渐近”法得到微波集成电路中几种基本元器件的CAD公式。微波集成电路衬底采用两层无耗介质，其中上层介质很薄，下......
随着移动通信、航空航天、电子产品等科学技术在各自领域突飞猛进的发展,技术的不断成熟,其给人类带来的贡献也越来越大。而快速的......
左手介质是一种重要的新型人工合成介质，它的介电常数s和磁导率∥同时为负值。它在微波与光学领域有着巨大的应用前景，从而得到越来......
该文首先将三维时域有限差分法与二重一阶摩尔吸收边界条件相结合,进行时域电磁场的分析与频域电特性参数的提取.并根据上述原理,......
现代通信设备迅猛发展,要求微波前端T/R组件能满足电气性能指标的同时,尽可能减小电路占用面积。本文以应用于短距离无线扩频通信......
学位
本文通过“合成渐近”法、解析矩量法和对偶原理，得到微波集成电路中双层螺旋电感器和LTCC中的单层螺旋电感器的CAD公式及等效电路......
随着无线通信产业的发展，人们对无线通信产品在尺寸、速度、功耗、价格上提出了越来越高的要求。在市场的推动下，硅基射频集成电路的......
本文主要探讨了在各国不同频带标准下设计多频段下一代4G通信系统射频前端时所使用的薄膜无源器件设计以及系统搭建优化处理。针对......
近年来，AlGaN/GaN高速电子迁移率晶体管(HEMT)由于其优异的性能，已经引起了人们很多的关注，它具有较高的频率特性，可以输出较高的微波......
介绍了S波段单级单片微波集成放大器的设计方法 ,电路核心为高电子迁移率晶体管 (HighElectronMobilityTransistor,HEMT) .针对在......
介绍了S波段单级单片微波集成放大器的设计方法,电路核心为高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor, HEMT).针对在......
介绍一种适合X频段并联反馈型介质谐振振荡器的设计方法及其相关理论,采用计算机仿真技术分析影响振荡器相位噪声的一些因素,并设......
在20世纪80年代,很多机载AESA使用密封壳体（通常是铝）,玻璃/金属气密RF和直流（DC）连接器。不过,应用于UHF地基雷达的AESA TRM密封而不......
基于0．25tan栅长GaINHEMT工艺，采用三级放大拓扑结构设计了一款Ku波段Gain功率放大器．放大器设计从建立大信号模型出发，输出匹配网络和......
首先简要介绍平面魔T的发展历史,指出了MIC和MMIC中魔T设计和分析存在的困难,具体分析了一种由槽线与微带线构成的魔T的物理原理,......
2008年欧洲微波周（European Microwave Week 2008（EuMW2008））于2008年10月27日至10月31日在荷兰首都阿姆斯特丹的RAI展览与会议中心举......
介绍真空电子器件和固态器件组合的新型电子器件--微波功率模块(MPM),以及将微电子工艺应用于传统真空电子器件而出现的真空微电子......
面对相控阵天线系统馈电网络的小型化和低成本的需求,采用单片微波集成电路(MMIC)技术,设计了一种小型化的宽带幅度均衡器。该均衡......
通常将微波电路置于金属封装之内。如果该封装波导谐振模恰好位于电路丁作频率范围之内，电路与封装谐振模问的耦合将干扰电路的工作......
提出了一种新的基于光子带隙结构的K波段谐振式带通滤波器,给出了近似设计公式,并在半导体衬底上,采用微电子的工艺实现了这种结构......
去嵌入传输线技术是微波集成电路不连续性分析的常用方法。用该方法分析形变柔性衬底上的不连续性时，由于馈线为非均匀传输线，激励源......
介绍了并联反馈式介质振荡器的设计方法和相关理论，分析了影响介质振荡器性能的一些参数。采用高频路仿真和场仿真软件对13．20 GHz的......
针对微波功能模块的结构和电路功能特点，采用多种具有一定熔点间隔的焊料，对微波功能模块的基板、I／O接头、壳体等进行软钎焊连接，替代......
介绍了一种高载波隔离度的S波段UQPSK调制倍频模块的设计技术。对UQPSK调制电路的设计流程进行了阐述，对影响最终指标的关键因素进......
开发一款用于微波电路三维集成的辅助设计软件,能实现对微波集成电路基础元件的分析、综合以及微波传输线多层过渡结构的编辑、设......
在分析GaAs HFET／PHEMT建模设计、在片校准和测试方法的基础上，提出了电荷守恒的EEHEMT1模型，通过Cold FET测量技术，采用在片测试技术，......
TaN和NiCr是Al GaN/GaN HEMTs微波集成电路中薄膜电阻最为常用的两种材料.文中对比了在SiC衬底上生长的这两种材料的薄膜电阻的可......
采用有耗片内螺旋电感和0.18μmCMOS工艺对集成行皮放大器进行了设计，其仿真增益在14GHz的频带内大于15dB。仿真了有耗片内螺旋电感......
利用保角变换技术对两种椭圆柱共面波导的传输特性作了准静态分析，导出一两种结构的有效介电常数和特性阻抗的封闭表达式，并提供了计......
大信号精确模型的建立是微波单片集成电路设计和研制的基础，在分析传统建模方法的基础上，对传统的ColdFET测量技术和寄生元件参数提......
介绍了平面带隙结构在微波集成电路应用方面的最新进展.光子带隙(PBG)结构是具有带阻特性的周期结构,最初应用于光学领域,后来扩展......
随着信息时代的发展,对于无线通信设备中的一些外接的分立元件的微型化、低功耗及可携带性提出了更高的要求.现在通常采用单片微波......
基于低温共烧陶瓷（LTCC）技术已经成为无源元件集成的主流技术，对低温共烧陶瓷（LTCC）包括LTCC的工艺、基板上电路互连和基板上电路的布局......
