室温下在3.45 eV的激光激发下,对950 ℃温度下淀积的LPCVD富硅的SiNx薄膜中,观测到5 个高强度的可见荧光的发射.其峰位位置分别为2......

采用射频磁控溅射法在LSCO／Pt／Ti／SiO2／Si（100）衬底上制备了0．95Pb（Sc0.5Ta0.5）O3-0．05PbTiO3（PSTT5）铁电薄膜。研究了不同的快速退火（RTA）工艺对......

对大直径重掺锑硅单晶中流动图形缺陷(FPDs)进行了研究.利用高温快速退火工艺(RTA),将重掺锑硅片在N2,Ar,H2三种不同气氛下进行热......