感性耦合等离子体相关论文
射频感性耦合等离子体（Inductively Coupled Plasma,ICP）源具有放电气压低、等离子体密度高和装置结构简单等优点,已经成为了工业应......
在MEMS加工制造过程中,低温等离子体刻蚀技术在刻蚀工艺中占有重要地位。按等离子体源的不同,等离子体刻蚀可以分为容性耦合等离子......
电负性气体被广泛应用在等离子体刻蚀及基础物理研究等领域,不同负离子的加入不仅造成电负性差异,同时等离子体的平衡结构和输运性......
由于负氢离子在引出束能量较高时仍然可以保持很高的中性化效率,基于负氢离子源的中性束注入系统在未来的磁约束核聚变装置中将起......
磁约束聚变装置中的中性束注入技术可以有效地加热等离子体和驱动等离子体电流。负氢离子在引出的束能量较高时仍然可以保持很高的......
低温等离子体尤其是低气压射频激发的等离子体,因其具有高电子密度和低离子轰击能量的特点而被广泛用于薄膜生长、基片刻蚀和材料......
感性耦合等离子体（Inductively coupled plasma,ICP）具有密度高、电子温度低、面积大且均匀性好等优点,被广泛应用于微电子行业。随......
随着微电子工业的迅速发展，集成电路集成度的不断增加和特征尺寸的不断减小对等离子体源提出了均匀性好、面积大、刻蚀速率高等要求......
图形化蓝宝石衬底是近年来针对高度发光二极管的应用要求发展起来的一种新技术。通过利用自主研制的工业化感性耦合等离子体刻蚀机......
感性耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma,即ICP)由于其具有大面积、高密度、离子能量和通量能够独立控制等优点,通常被用于......
射频离子推力器是空间电推进的一种,其推力性能是系统设计的核心问题。为获得推力特性随设计参数的变化规律,采用数值计算方法进行......
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低温等离子体尤其是低气压射频激发的等离子体,因其具有高电子密度和低离子轰击能量的特点而被广泛用于薄膜生长、基片刻蚀和材料......
感应耦合等离子体源(Inductively Coupled Plasmas, ICP)具有如下优点：1.能量耦合效率高,能够在较低气压下和较低的功率下获得高密......
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感性耦合等离子体源由于可以在低气压条件下产生高密度等离子体而在刻蚀工艺中有着广泛的应用。刻蚀工艺随着集成电路特征尺寸进入......
射频感应耦合等离子体源(Radio Frequency Inductively Coupled Plasma Source, RF-ICP)因其具有等离子体密度高,放电气压低,放电......
感性耦合等离子体（Inductively Coupled Plasmas,即ICPs）具有密度高、大面积均匀性好以及易控制等优点,已经被广泛地应用于集成电路......
感性耦合等离子体(Inductively coupled plasma,即ICP)源具有等离子体密度高(1011～1012cm-3)、工作气压低(1～100 mTorr)以及装置结构......
感性耦合等离子体源（Inductively Coupled Plasmas, ICP）因能够在低气压下获得大面积、均匀性好且高密度的等离子体,因此,被广泛地应......
学位
射频感应耦合等离子体源（Radio Frequency Inductively Coupled Plasma Source,RF-ICP）能在低气压条件下产生高密度的等离子体,并且......
射频电子源以其结构简单、不易受污染、寿命长、瞬时启动等优点,可以作为离子和霍尔电推进的中和器,显著提升其寿命和性能。为了研......
为了分析射频离子推力器热特性,建立了射频离子推力器整体热模型,基于二维流体模型,对11cm射频离子推力器开展了放电室等离子体仿......
基于感应耦合等离子体(ICP)技术设计了一套用于在硅基片上制作形成超浅结的等离子体浸没注入(PIII)系统。该ICP PIII系统工作腔室......
