慢正电子束技术相关论文
ZnO作为第三代半导体,具有宽禁带宽度(3.4eV)、高激子束缚能(60meV)等优异特性,可作为新一代蓝光和紫外发光材料。然而,由于ZnO天......
集成电路的微型化使金属互联线间的电阻和电容所产生的寄生效应越来越明显,低介电常数材料(low-k)和铜(Cu)材料相结合,减小电路中......
