扩散电容相关论文
半导体激光器是光通信中的核心器件之一,广泛应用于城域间的骨干网。光电集成电路计算机辅助设计是对光电器件建模仿真的重要方法,......
半导体PN结具有电容的性质．在正向直流偏压下，理论计算表明，PN结扩散电容的对数与正向偏压成正比．实验发现，当正向偏压小于30mV时，这种线......
基于SiGe HBT（异质结双极晶体管）大信号等效电路模型，建立了SiGe HBT大信号发射结扩散电容模型和集电结扩散电容模型．该模型从SiGe HBT......
<正> 理论研究指出:晶体管的短路Y参数与晶体管的基本参数有如下的关系: 我们把αo,gc,g＇c,rbb＇,ωα,CTc和m七个独立参数叫作晶体管......
研究了硅NPN双极型晶体管（C2060）的中子和电子辐照效应。实验结果显示：经中子和电子辐照后,晶体管扩散电容出现退化,甚至出现负电容（NC......
a-Si:H/c-Si异质结太阳电池结合了薄膜硅的工艺优势与晶体硅电池的优点,具有实现高效低成本硅太阳电池的发展前景。影响a-Si:H/c-S......
