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为了建立厚度为1 nm左右HfO2超薄膜的光谱椭偏测量方法,采用掠入射X射线反射技术进行国家/地区实验室间比对认证,其膜厚准确量值作......
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随着集成电路集成度增加,材料制备工艺的发展以及工业的需要,半导体薄膜栅介电层的厚度逐渐发展到了纳米级别。传统SiO2半导体材料......
