接触电阻率相关论文
热电材料可以实现热能到电能的直接转换,利用工业产生的废热、地热或太阳热能等进行温差发电,是提高能源利用率、大力发展清洁能源......
在Si基CMOS技术中,芯片中集成度的提高取决于晶体管的尺寸等比例缩小,但随之带来的短沟道效应的加剧使得传统的Si材料逐渐接近其物......
高温超导材料具有通流能力强、临界磁场高、工作温区广等特点，其在加速器磁体、磁共振成像磁体和背景场磁体等领域已取得了阶段性的......
我们处在一个电子信息产业迅猛发展的时代,而微电子产业是电子信息产业的支柱,在过去的几十年中,以Si为代表的半导体材料的应用让......
石墨烯因其优异的电学性能和材料性能被广泛应用于气体传感器中。通过构建石墨烯异质结来改善石墨烯气敏性能已经被证明是一种有效......
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Half-Heusler合金由于其稳定性好、机械性能高以及具有优异的热电性能,广泛应用于中温区的热电材料。目前,P型Half-Heusler材料ZT......
方钴矿具有良好的热电性能和优异的力学性能，是最具实际应用潜力的中温热电材料。对于制备热电器件来讲，p型和n型热电材料是同等重要......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
本文对p-GaN/Au的接触电阻率进行了研究.用沸腾的王水处理p-GaN表面后,p-GaN/Au可直接形成电阻率为0.045Ω·cm2的欧姆接触.接触电......
采用传输线模型测量了重B掺杂 p型金刚石薄膜 (约 10 2 0 cm-3 )上Ti/Au欧姆接触电阻率 ρc,测试了 5 0 0℃退火前后及大电流情况......
The morphology of the silver films deposited and annealed on YBa2Cu3O7- δ films and the corresponding surface contact r......
碲铟汞Hg3In2Te6是(In2Te3)x-(Hg3Te3)1-x(x=0.5)的化合物,被称为缺陷相化合物。为了研究In/HgInTe欧姆接触特性,首先运用热电子蒸......
碲镉汞器件性能与材料及诸多工艺因素相关,而材料与电极间的接触性能是必须要解决的基础问题之一.利用金属In/Au在光伏长波碲镉汞......
电解槽内衬，不同位置所起的作用不同，生产过程中所受到的影响也不同。因此，应该依据不同位置内衬的作用采用不同的材质，不同的配置方式......
实现欧姆接触是获得高性能GaN探测器的基本要求之一。p型GaN上优良的欧姆接触比n型GaN上的难于实现。本文介绍了利用金属Au、Cr／Au......
采用溅射法在液相外延3C-SiC上制备Ni电极,并利用圆形传输线法研究了退火温度对欧姆接触特性的影响,实验表明对于Ni/n-SiC金半接触......
在以Be作为离子源离子注入形成的P型GaAs衬底上分别使用Ti／Pt／Au和Cr／Pt／Au多层金属作为欧姆接触金属，并对比合金前后的差别。结果表明，......
采用圆形传输线模型研究了金（Au）电极与碲锰镉（CdMnTe）晶体的欧姆接触特性,Au电极采用AuCl3化学镀金法制备,计算了其接触电阻率。实验......
在大电流密度下对欧姆接触结果进行考核，对传统的传输线法测量接触电阻率的结构与方法进行了改进，充分考虑到了半导体材料受到的影响......
GaAs HEMT/PHEMT的欧姆特性对器件的性能和可靠性至关重要,通常为了得到最好的欧姆接触特性,帽层(CAP层)的掺杂浓度大约在5E+18cm-......
GaN材料在高频、高功率、高温、高密度集成电子器件等领域具有广阔的应用前景，是全球半导体领域研究的前沿和热点．近几年，对低接触电......
系统地介绍了用圆形传输线模型（ Ｃ Ｔ Ｌ Ｍ） 测量金属／ 半导体欧姆接触电阻率的基本原理。以 Ａｌ／ Ｓｉ 接触为例研究了不同掺杂浓度和不同温度退火......
本文曾在我们以前欧姆接触工作的基础上,进一步用高硼合金(BAINiIn)和高磷合金(PSbAuIn)作接触金属,适当控制硅片的表面质量,结合......
金属-半导体的欧姆接触无论在半导体的器件制造还是半导体物理和材料的性能研究方面都是极其重要的.接触性能的好坏直接影响着器......
GaN材料以其优良的光电性质,已成为制造发光器件和高温大功率器件的最有前途的材料。欧姆接触是制备GaN基器件的关键技术之一。着......
在p-GaN上蒸发Ni/Au电极前,采用王水、HCl、缓冲HF进行前表面处理,O2气氛下退火后,比较各电极样品的I-V特性和表面形貌。结果显示......
本文提出一种用直线四探针头测量金属-半导体欧姆接触接触电阻率的简捷方法.导出了适用于薄层半导体材料的接触电阻率表达式,经实......
通过放电等离子烧结（svs）实现阻挡层Ti-Al、过渡焊接层Ni与热电臂Yb0.3C04Sbl2的一体化烧结，使用Ag-Cu-Zn共晶合金完成热电元件Yb0.3C......
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)由于具有大的直接带隙能、高的饱和漂移速度、大的导带不连续性、良好的热稳定性以及强的自发......
研究了高温工作环境下Ti/Al/Ni/Au（15 nm/220 nm/40 nm/50 nm）四层复合金属层与n-GaN（Nd= 3.7×10^17cm^-3,Nd=3.0×10^18cm^......
热电器件的界面稳定性是决定其服役可靠性和寿命的关键因素。对于方钴矿热电器件,为了抑制高温电极与方钴矿材料之间的相互扩散,需......
超大规模集成电路(VLSI)的可靠性与集成度的增加是相互联系着的。集成度的提高,芯片增大、器件尺寸按比例缩小,采用革新电路和多层......
难熔金属和金属硅化物已用于制作超大规模集成电路的接触和互连。硅衬底上的难熔金属的接触电阻率现已可作到低至～10-7Ω·cm2。采......
从欧姆接触电阻率的定义出发,先从理论上介绍了热离子发射、热离子场发射和场发射三种不同情况下欧姆接触电阻率的计算公式,然后详......
如何测量、计算得到精确接触电阻值已凸显重要。介绍了多种测量计算金属-半导体欧姆接触电阻率的模型和方法,如矩形传输线模型、圆......
ZnO材料是一种直接禁带、宽带隙半导体材料,室温下的禁带宽度和激子束缚能分别是3.37eV、60meV。为此ZnO是一种很适合于制备各种光......
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体由于它们具有独特的能带结构和性质，在微波器件、光电器件、霍尔器件和红外元件等方面得到了广泛的应用。其中，G......
GaN半导体材料以其宽带隙、电子饱和速度高等优点,在高温、大功率微波器件领域成为人们研究关注的重要材料。做为潜在的极端恶劣环......
近年来,三元化合物半导体Cd Mn Te受到了广泛的关注和研究。Cd Mn Te晶体具有优异的光电性能,是最为理想的室温X射线、γ射线探测......
分析了一般测量接触电阻率的TLM模型以及“端电阻”修正模型的缺点,提出了一种新的接触电阻率的测试方法。此方法模型精确,常规测......
根据材料的厚度对金属-半导体间的欧姆接触电阻率的测量方法做了分类,并分别介绍了各种方法的原理。分析了它们的误差形成原因以及......
本文提出一种测量金属-半导体接触电阻率的方法——三点法。样品制备简单,无需台面绝缘,用硅进行实验验证,结果与文献报道的相符。......
为了研究半导体光电器件p-GaAs欧姆接触的特性,利用磁控溅射在p-GaAs上生长Ti厚度在10-50 nm范围、Pt厚度在30-60 nm范围的Ti/Pt/2......
笼型斜槽转子中的横向电流损耗是附加损耗中不可忽略的成分。为简化绝缘处理等额外工序削弱横向电流损耗,提出一种改变传统斜槽转......
ZnO半导体材料的禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV。同时,ZnO在空气中也有较好的热稳定性和化学稳定性,这些性质使其在发光二......
随着集成电路器件尺寸的持续缩小,短沟道效应等原因使得MOS器件性能的继续提高遇到了严峻的挑战,SiGe被引入到新型的器件结构中,通......
为了提高GaSb基半导体激光器的功率效率和可靠性,研究了GaSb基半导体激光器欧姆接触形成机理并提出了一种新型四层金属欧姆接触结......
期刊
利用低压化学气相淀积法（LPCVD）在表面有热氧化二氧化硅的（100）硅衬底上生长80nm厚多晶硅纳米膜,并对其界面进行表征.制作出单层Al金属......
