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掺杂均一性相关论文
高能离子注入工艺入射角与高压器件阱工艺均一性关系的研究
以高压器件工艺为基础的芯片在驱动IC、电源管理、开关控制方面的应用越来越广泛,高稳定工艺可以带来高良率,从而使制造成本降低。......
学位
高压器件
深阱工艺
高能离子注入
掺杂均一性
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