掺杂构型相关论文
针对5种不同构型下的ZnO基稀磁半导体特性展开研究,利用第一性原理对Co掺杂ZnO,Mn掺杂ZnO,以及(Co,Mn)共掺杂ZnO进行模拟计算,分析......
ZnO作为Ⅱ-Ⅵ族宽带系半导体的氧化物,具有较宽的禁带宽度(3.37eV)和较高的激子束缚能(60meV),使其在短波长光电器件上具有潜在的......
通常在ⅢII-Ⅴ族材料中掺入等电子杂质可以调节其电子或光学性质。为了满足不同的材料和器件需求,将Bi掺入InP材料中能够通过抑制......
学位
