氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）器件由于开关频率高、开关损耗低、开关速度快等优势而被广泛应用于消费电子、航空航天、5G通讯......

近年来，随着电力电子技术的快速发展，传统的Si材料由于自身物理特性限制，以其为基底的电力电子器件已不能满足高效率、高功率密度和其......

近几个世纪以来,地球上不可再生资源的大量开发与采用,难以避免的对生态环境造成了不可估量的毁坏。随着人们环保意识的提升以及化......

介绍了单相功率因数校正器的工作原理及控制电路的参数选择.由于采用了一种新型的低损耗无源缓冲电路,开关管和主二极管的电流电压......

提出一种基于无源缓冲电路的零电压关断非隔离型高增益DC-DC变换器。在所提无源缓冲电路的帮助下,所有功率开关实现了零电压关断(Z......

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随着能源危机和气候变暖问题越来越严重,节能已经成为全球普遍关注的话题,人们通过各种途径寻找新的节能方式。照明是人类消耗能源......

绝缘栅双极型晶体管IGBT综合了GTR和MOSFET的优点,近年来,在电力电子领域得到了广泛的运用。受限于单只器件的耐压水平,在高压大功......