杂质扩散相关论文
太阳能电池由于其成本低、清洁、可再生、环保等优点成为解决能源需求紧张的主要方式之一。硅化物半导体材料二硅化钡（BaSi2）由储量......
随着能源问题的日益加重,核能由于其高效,清洁等优点受到广泛关注。核反应堆安全性一直是关注的焦点,尤其是日本福岛核事故发生后,......
Al-Zn-Mg-Cu系铝合金作为一种重要的铝合金材料,其具有比强度高、加工性能好、低密度以及较好的抗疲劳性能等一系列优点,目前已被......
用P型Pb_(1-x)Ge_xTe(0.05≤x≤0.11)通过锑杂质扩散形成n-p结已制成光伏红外探测器。在77和195K之间的温度下进行了测量,其长波响......
在半导体器件工艺中,多数情况是在硅衬底中掺 p 型或者 n 型杂质形成 pn 结。而最基本的 pn 结形成方法,一般采用杂质的热扩散法......
在半导体器件的制造工艺中,向硅衬底中掺以P型或N型杂质形成PN结的时候居多,但是,本文应用的是形成PN结最基本的方法——杂质热扩......
现代的微电子器件,在重掺杂的硅材料上的自对准结构中采用过渡金属。在硅化物生成期间或生成之后的热处理可能使作基础的硅层中的......
将硼微晶玻璃源均匀扩散条件及浓度控制方法用于ＲＣＧＴＯｐ基区扩散，研制成功２００Ａ／１０００ＶＲＣＧＴＯ。
The boron glass-ceramic source uniform diffusion conditi......
采用表沟p+多晶硅栅/PMOSFET代替埋沟n+多晶硅栅/PMOSFET具有易于调节阈值电压、降低短沟效应和提高器件开关特性的优点,因而在深......
现在，半导体工业正处在一个新的转折点：掺杂杂质的分布轮廓正在向纳米水平靠近，其分布会严重影响器件性能。这就要求我们能够将杂质扩......
研究了由双值噪声和方波作用下半导体层杂质扩散诱导的随机共振现象.基于绝热近似条件,利用两态理论,得到了系统输出信噪比（SNR）的表......
将Ti-Mo纯金属组成扩散偶,在950～1050℃间研究Ti-Mo二元合金在β相区的互扩散行为。利用电子探针（EPMA）测定Ti-Mo扩散偶在扩散区中Mo......
在制造半导体器件的外延工艺中,外延生长时通常要掺入杂质.如果杂质的扩散系数很小,杂质在外延层中的深度分布是均匀的;如果杂质的......
外延层杂质浓度是影响器件电学性能的重要参数.文章对外延淀积过程中自掺杂的产生过程进行了分析,提出了在外延淀积过程中可以通过......
镍基高温合金具有优异的抗蠕变、抗断裂、抗氧化和耐腐蚀等性能，广泛应用于航空航天、石油化工、航海设备等工业领域，是制造航空发动......
固体氧化物燃料电池(SOFC)是第四代燃料电池,因为采用全固态的电池组件,与其他种类的燃料电池相比,SOFC还具有工作噪音小、电极反......
