杂质浓度分布相关论文
讨论了国产和进口超突变结变容二极管的杂质浓度分布和n值,提出了提高国产超突变结变容二极管性能的措施
The impurity concentra......
采用开管式Al乳胶源涂布与气相Ga相结合的技术,实现了镓铝双质在n型Si中的均匀掺杂,得到了p型半导体.研究了镓铝双质掺杂的方法及......
本文提出了一种适用于集成电路直接驱动的逻辑门极可控硅的设计,该可控硅具有合理的门极结构,精确的长、短基区宽度以及杂质浓度分......
以优化磷在硅中杂质分布的工艺方案为研究对象,通过扩散机理分析和实验研究的方法,对影响磷杂质分布型的关键因子进行理论探讨与实......
基于电容-电压法（简称C-V法）来测量半导体杂质浓度分布,简单快速且不破坏样品。为更快速、精确求得半导体杂质浓度分布,利用Origin软......
本文提出了一种新的减小硅外延自掺杂影响的二步外延方法。利用该方法在均匀的重掺As衬底上外延,以10~(14)～10~(18)/cm~3浓度区域计......
本文采用附面层模型,对硅外延中的自稀释现象作了理论分析,分析了生长速率、气体流速及外延生长温度等因素对自稀释的影响.提出了......
半导体器件大部分都是在外延片上制成的,测定外延层纵向浓度分布是否符合设计要求,是一个重要的质量指标。本仪器是应用所谓二次......
为了提高SiGe异质结双极型晶体管（heterojunction bipolar transistors,HBTs）电流增益和特征频率温度热稳定性,首先研究基区杂质浓度......
激光诱导扩散是用聚焦的激光束局域加热半导体基片,将杂质以扩散的方式掺入到特定区域并且达到一定要求的一种技术,具有“低温处理......
全面地介绍了pn结C—V测量法的基本原理、测试设备及条件。利用pn结反向偏压时的电容特性推导了有效杂质浓度随深度分布的计算公式......
