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栅下局部低掺杂相关论文
    具有部分低掺杂沟道的高能效4H-SiC MESFET设计
    随着微波功率器件的发展,4H-Si C MESFET器件因其在高功率、高频率和耐高温高压等方面的优良特性受到了人们的关注。在微波功率器......
    学位
    4H-SiC MESFEET 功率附加效率 栅下局部低掺杂 输出功率

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