栅极相关论文
阐述集成电路锗硅工艺中栅极顶部边缘锗硅冗余生长缺陷的产生机理，工艺流程改进，控制栅极氮化硅掩模层的残留量来解决该缺陷，探讨锗硅......
针对GaN功率放大器的特点,本文提出了一种稳定的具有任意波形脉冲振幅调制功能的栅极调制电路,可以通过改变GaN功率放大器的栅极电......
随着功率变换器不断地往高频、高效、高功率密度等方面发展，电子设备的电磁干扰(Electro Magnetic Interference，EMI)问题日渐凸显，其......
在这个智能移动设备已经占据了我们生活绝大部分的年代，如何设计一颗更好、更节能、更适合移动设备使用的处理器，一直以来都是芯片厂......
在处理器芯片制造领域，无人不知英特尔，这位半导体行业的巨人垄断了PC处理器大半壁江山，它与微软的Wintel联盟甚至主导着人们对PC的消......
摘要：介绍了以TMS320F2407芯片为核心的高性能数字化SRD控制器的设计，给出了硬件电路设计和软件设计策略。并对其中功率变换器的设计......
本报讯 5月6日，英特尔宣布推出全新的低功耗、高性能Silvermont微架构。 该技术旨在直接满足从智能手机到数据中心等细分市场对......
“Tick-Tock”——英特尔的产品发展一直在这样的钟摆节奏中演进，一年更新制造工艺（“Tick”），再一年更新芯片架构（“Tock”）。但近期，英......
高集成电路生产商常常需要将数百万个元件集成到一个针尖大小的空间中，因而面临着许多挑战：他们需要将多种功能压缩到一个产品中，同时......
英特尔采用论坛形式与技术开发者交流，记录下技术发展的轨迹，距今已整整过去了十个春秋。9月18日至20日，2007秋季IDF如期在旧金山举行......
22纳米的晶体管有多大？一个针头可以容纳超过1亿个22纳米晶体管；印刷体小四号字体句号可以容纳超过600万个22纳米晶体管；人类头发的横......
8月15日，在“2011英特尔中国大学峰会”上，英特尔公司的多位技术专家分享了英特尔“互联计算”的愿景，详细介绍了代表未来计算发展趋......
虽然英特尔近年来在工艺更新上进展缓慢，并因此给竞争对手带来了喘息和应变的时机，但英特尔也在想办法解决问题。在2020年8月的架构......
英特尔将旗下NAND闪存业务出售给SK海力士无疑是2020年底业内影响最大的消息之一。一直以来，英特尔在存储产业上都占据着相当重要的......
全球首款22nm微处理器(lvy Bridge)将采用3－D三栅极晶体管进行批量生产； 世界上首款3－D三栅极晶体管进入生产阶段； 晶体管向3－D三......
在电子管制造中,更多地采用钼筒作栅极。这样,一栅与二栅可以同时用电火花加工方法加工出来栅丝,保证了对栅的正确性(见图一)。
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在6月19日的中国国际电源展览会上,英飞凌科技股份公司同时推出具备适用于高能效电源转换产品的OptiMOS~(TM)3 75V MOSFET系列和下......
针对IGBT断态下由外加dv/dt引起的瞬时开通现象,基于IGBT的工作机理与物理模型进行分析并建立预测模型,并且实现了模型所需参数的......
本文介绍MOSFET驱动电路中自举电路的工作原理,自举器件主要参数的选择和自举电路设计时需要注意的一些问题,重在提高自举电路的可......
基于非平衡格林函数(NEGF)的量子输运理论框架,对双栅MOSFET进行了二维实空间数值模拟。在对表征载流子电势的泊松方程自洽求解后,......
报道了一种有机场效应晶体管,它采用聚乙烯醇作为绝缘层,ITO作为栅极,酞菁铜作为有机半导体层,铝作为源漏电极。采用旋涂和真空掩......
电力电子器件是半导体功率器件的总称,是构成电力电子设备的基础,是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技......
在IEEE国际电子设备会议上,IBM的科学家们展示了一系列突破性的科研成果,将会大大推动更小、更快、更强处理器芯片的研发。IBM表示......
IGBT器件具有输入阻抗高和导通压降低的优点,在大功率电力电子领域具有广泛的应用,但IGBT器件的栅极漏电问题严重影响产品的成品率......
电力电子器件是半导体功率器件的总称,是构成电力电子设备的基础,是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技......
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当前业界都在谈论FinFET——可以说,这是MOSFET自1960年商用化以来晶体管最大的变革。几乎每个人———除了仍然热心于全耗尽绝缘......
基于聚合物绝缘材料和半导体材料,采用溶液法旋涂工艺制作了有机薄膜晶体管(OTFT),通过尝试不同旋涂速度、表面预处理、退火温度等......
随着科技的发展和人们生活水平的不断提高,人们对自身所处的环境越来越关心,放射性氡由于对人体造成内照射,其危害性受到人们的广......
当前航空航天科学技术虽然发展迅速,但是要步入深空,还需脚踏实地,一步一个脚印,推动航空航天科学技术稳步向前。本文主要对用来探......
一、前言钼丝广泛用作电子管的栅极,灯泡的灯丝支架,绕螺旋的芯线,热丝玻璃熔封的电极及其它方面。随着电灯照明,电真空工业、国......
瓦里安2100C/D加速器枪驱动系统,由冷端和热端两部分组成.系统采用数字栅控电子枪,实现数字化自动控制,提供精确稳定的灯丝电压、......
一、6017钼栅极的特点形状像鸟笼式的6017钼栅极(图一)是由内栅和外栅(图二)组成的。以内栅为例,外径φ41.6毫米,共120根栅丝,每......
日本日立中研研制出GaAs系半导体激光器与驱动用FET集成化的光电子集成器件。该器件具有高速工作、高可靠性、低噪声等优点。半导......
本文根据我所引进的美EDAX公司能谱仪及其图纸资料和国内有关文献对EDAX能谱仪的探测器/放大器部分的原理、电路结构及特点做一些......
当今的处理技术正向着更小型化发展，以减小诸如DSP和微处理器之类高密度逻辑器件的尺寸。CMOS结构随之采用了更小的沟道和更薄的栅......
Ivy Bridge是LGA1155接口的末代产品,而这些末代产品往往都代表了目前最完善的设计和最成熟的技术,它们不仅能够获得最大的市场认......
一个DC-DC变换器,如果其初级侧采用双晶体管正激拓扑,那么该变换器虽可接受高的输入电压,但却缺乏驱动次级侧电路的动态复位电路.......
在图1所示的驱动电路中,系统的控制电路可提供Vcommand信号,而Vcommand则等于所需负载电流乘以R8.当控制电路把这个电压加在R1上时......
