栅极电荷相关论文
近几年来,由于汽车电子系统和高效率DC/DC转换器对大功率MOSFET提出了更多、更高的要求,在低压MOSFET的优化设计方面己经取得了很......
MOSFET的单位面积导通电阻(Rsp)和品质因子(FOM)近年来出现大幅下降.在给定的硅材面积下,降低Rsp的关键因素是改善器件通道的宽度.......
由于世界市场的激烈竞争,各功率半导体器件制造商正投入大量资金发展新的设计、改进新的工艺、开发新的产品。好些产品甚至每个季......
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出其下一代D系列高压功率MOSFET的首款器件。新的400 V、500 V和600 V n沟道器件具有低......
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新的500 V家族里首款MOSFET---SiHx25N50E,该器件具有与该公司600 V和650V E系列器件......
2014年5月13日，北京——安捷伦科技公司（NYSE：A）日前宣布推出业界首款适用于电路设计的功率器件分析仪Agilent B1506A。B1506A能够在不......
当今，PFC级和DC／DC级对电源效率的要求越来越高，尤其足在轻负载运行中。为满足这些要求，逻辑上工程师应选择使用栅极电荷较低的MOSFET......
以AD9218芯片为AD采集芯片、MCF56F8257DSC为主控制器，设计了一款便携式的Q测试仪，并给出了设计原理及实验结果．结果表明，该设计能准确......
Vishay Intertechnology推出600V和650Vn沟道功率MOSFETE系列器件。产品在10V下具有64Ωm-190mΩ．的超低最大导通电阻，以及22A-47A的......
飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）扩展Power Trench MOSFET系列来帮助设计人员应对电源设计挑战。这些产品属于中等电压MOSF......
<正>这三款新型超级结超级结MOSFET具有如下一些特点:600V功率半导体器件中的导通电阻X栅极电荷,适用于高速电机驱动、DC-DC转换器......
介绍了MOS管的电路模型、开关过程、输入输出电容、等效电容、电荷存储,及其对MOS管驱动波形的影响和驱动波形的优化设计实例。......
