气相化学反应相关论文
AlN单晶薄膜是重要的第三代半导体材料,具有宽带隙、耐辐射、耐高温等特点,广泛用于制备半导体发光器件和功率器件。金属有机化学......
氮化铝（AlN）是一种重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体薄膜材料,广泛应用于制备高亮度LED、紫外探测器和高频大功率器件。金属有机气相化学沉......
近几年,全国各地严重雾霾天气频发,人们越来越关注空气污染问题。碳烟颗粒作为柴油机主要排放物,是空气污染的直接污染源。大量碳......
利用激光溅射-分子束的技术,结合反射飞行时间质谱计,研究了Cu+、Ag+、Au+与乙硫醇的气相化学反应.结果显示这三种金属离子与(CH3C......
利用激光溅射-分子束的方法研究了Al^+和乙硫醇的气相化学反应，结果观察到了Al^+与1-6个乙硫醇分子形成的团簇离子．对团簇离子进行了......
AlN是重要的宽带隙半导体材料,具有耐高温、高击穿场强等特点,是制备紫外和深紫外器件的关键材料。金属有机化学气相沉积(MOCVD)是......
利用激光溅射-分子束技术研究了Mg+、 Al+与乙腈分子的气相团簇反应.根据反射式飞行时间质谱检测的结果发现, Mg+、 Al+与乙腈分子......
金属有机化学气相沉积(MOCVD)是制备GaN薄膜器件包括发光二极管和半导体激光器的关键工艺。在高温生长条件下,作为反应前体的Ga(CH......
由于InAlN材料在In含量为17.6%时,可以与GaN晶格实现的无应力状态的晶格匹配,因而受到了广泛的关注和研究。但是由于受到了In N和A......
