氟掺杂氧化锡（Fluorine doped tin oxide,简称FTO）透明导电薄膜是一种宽禁带半导体材料,因其原料充足、成本低、易刻蚀、光学性能适......

二氧化锡（SnO2）是一种禁带宽达3.8eV的绝缘体，当产生氧空位或掺杂氟（F）、锑（Sb）和铟（In）等元素后，形成n型半导体。其中，锑掺杂二氧化锡（ATO）粉体......