氧化层陷阱电荷相关论文
随着CMOS工艺的发展,栅介质层厚度不断减薄,而电源电压并没有等比例缩小,导致栅漏电流不断增大,测量界面态的传统方法受到限制。介......
对MOS结构器件．要分离由辐射效应引起的界面态电荷与氧化层陷阱电荷的方法有根多种．如中电带压法、电荷泵法和双晶体管法就是目前比......
以传输线脉冲（TLP）为例,研究了由静电放电脉冲应力产生的氧化层陷阱电荷Qot^＋的特性。当氧化层厚度为3.2nm时,无论是直流还是TLP脉冲......
