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SiC半导体材料是第三代宽带隙(WBP)半导体材料。由于具有优异的性质如:宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等,......
在对氮化镓、氮化硅镁纳米材料的合成、应用等方面的发展现状进行了充分调研的基础上,本论文旨在探索高压釜中氮化镓、氮化硅镁等......