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氮化铝膜相关论文
利用反应低压离子镀膜法和反应直流磁控溅射法制作氮化硅氮化铝膜
<正> Si_3N_4和AlN薄膜被广泛应用于微电子和光学领域,它们大多是利用CVD方法在基片温度高达1300℃下制成的.利用RLVIP和RDCMS方法......
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