氮化镓:硅相关硕士博士期刊学术论文 - 信丰网

氮化镓:硅相关论文

GaN:Si薄膜的结构和应力特性研究

对掺杂浓度为1017～1019 cm-3的GaN:Si样品进行高精度X射线衍射和拉曼散射光谱的研究发现:随着Si掺杂浓度的增加,GaN晶粒尺寸逐渐减......

期刊

氮化镓:硅异质外延 X射线衍射拉曼散射

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