氮化镓纳米线相关论文
氮化镓(Ga N)是一种具有直接宽禁带的半导体材料,具有较高的电子迁移率、良好的耐高温能力、优异的抗击穿能力以及出色的抗辐射能......
作为两种性能优越的宽带隙半导体材料,氮化镓(GaN)与碳化硅(SiC)材料具备了卓越的物理化学性质、力学以及光学性质,二者的块体材料......
纳米线作为新型的一维材料越来越多地引起了人们的研究兴趣。2001年《Science》杂志宣布基于半导体纳米线的纳米电路将是人类科学......
氮化镓(GaN)是III-V族第三代直接宽禁带半导体材料,具有稳定的物理化学性质和优越的光电性能,可以被用于制造紫外线探测器、高温高......
GaN是一种直接宽带隙(3.4eV)半导体材料，可应用于蓝紫光二极管、激光二极管等光电器件中。近年来，一维半导体纳米材料的合成、表征及......
GaN是一种直接宽带隙（禁带宽度是3.4eV）半导体材料，其具有化学和物理稳定性好，电子饱和漂移速率高，临界雪崩击穿电场强度大，介电常数小等......
作为第三代半导体,氮化镓GaN以其宽的直接带隙、高电子迁移率、高热导率、高击穿电场等卓越性能被广泛研究。随着更多光电器件的微......
利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备Ga2O3/BN薄膜,然后在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米线.X射线衍射、选区电子衍射和......
通过金属有机物化学气相沉积方法在碳纳米管模板上生长氮化镓纳米线束.对所生长的纳米结构进行了扫描电镜和X射线能谱分析,结果显......
利用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3／Co薄膜，然后在管式炉中通入流动的氨气在950oC对薄膜进行氨化，反应后成功制备出大量GaN纳米......
氮化镓（Ga N）纳米线,作为典型的宽禁带半导体纳米材料,不仅具有Ga N体材料优异的光电性能,还兼具了纳米材料的特性,在激光器、发光二......
