氮化镓衬底相关论文
LED衬底决定了LED器件的制造路线，并且会严重影响LED器件的综合性能。开发高质量的自支撑GaN衬底是未来高效大功率LED领域重要发展......
近年来，Ⅲ-Ⅴ族GaN材料及AlGaN/GaN异质结由于临界击穿场强高、热传导性好、电子饱和迁移率快和电子面密度高等优点在高频、高压和......
氮化镓单晶衬底上的同质外延具有显著的优势,但是二次生长界面上的杂质聚集一直是困扰同质外延广泛应用的难题,特别是对电子器件会......
半导体技术的不断发展，推动着半导体材料广泛的应用。半导体材料中,GaN具有的禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度......
在近几十年来,信息技术一直遵循着摩尔定律,即在一个芯片上的晶体管数目每两年增长一倍,但是传统的电子器件由于量子效应和热效应......
