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氮氢等离子体处理相关论文
TiC/n型4H-SiC氮氢等离子体处理与欧姆接触关系的研究
作为第三代半导体材料,SiC具有禁带宽度大、临界击穿场强高、载流子饱和漂移速度大、热导率高等优点,是制作高温、高压、高频、大......
学位
4H-SiC
TiC
氮氢等离子体处理
欧姆接触
接触电阻率
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