深亚微米工艺相关论文
深亚微米工艺下,由于互联延迟在总延迟中所占比重加大以及集成度增加所造成的电容耦合和串扰影响,使得以往建立的负载模型失效严重......
在深亚微米工艺中总线功耗成为集成电路功耗的最主要的组成部分。DSP技术已成为数字化最重要的基本技术之一。DSP是一种数字信号处......
随着深亚微米工艺的广泛应用,集成电路特征尺寸急剧减小,于此同时,工作电压持续降低,工作频率急剧升高,这一切都使得集成电路对于......
随着半导体存储器工业技术、深亚微米工艺技术及芯片生产工艺技术的快速发展，电路的工艺尺寸不断减小，电路的集成度、复杂度与日俱增......
该文介绍了一个低功耗的33MHZ,10bit,3.3v流水线结构的数模转换器(ADC),该ADC主要采用了以下2种方法来降低工业区耗:1.采样保持放......
本文对集成电路芯片互连线的时延，尤其是耦合互连线的时延做了研究。研究从单根互连线的时延估算着手，以此作为耦合互连线时延估算的......
随着集成电路设计不断向着大规模、高频率、低功耗方向的发展，对于时钟布线的深层次要求成为了集成电路自动化设计的一个重要课题。......
随着IC技术的进步,20世纪90年代出现了SoC(System .on Chip的缩写,称为系统级芯片,也称为片上系统)概念,SoC是以深亚微米工艺和IP......
本文主要描述一下两钟对M O S管特性有影响的边界效应。同时,本文也将描述目前通用的对这两种效应的估算方式和在器件模型中的表现......
随着工艺的发展,功耗成为大规模集成电路设计领域中一个关键性问题.降低电源电压是减少电路动态功耗的一种十分有效的方法,但为了......
秦王朝”二世而亡”之后，中国发生了刘邦和项羽之间的“楚汉之争”。两人曾在先前的反秦战争中定下约定，“先入关中者为王”。半导体......
深亚微米工艺下互连串扰问题成为IC设计中的"瓶颈".在充分考虑互连线的电容耦合效应和电感耦合效应的前提下,提出了一种有效估算互......
提出了深亚微米下系统级芯片层次式版图设计的方法,并用该方法设计了HDTV信道解码芯片8VSB的版图.实例设计结果表明,该方法在节约......
在深亚微米技术实现的片上系统中,为了解决由于制程变异引起的温度不确定性,提出了一种多点温度测量的SoC低功耗测试调度方法。该......
信号完整性问题已经成为当前深亚微米工艺ASIC设计过程面临的巨大挑战.本文以一个H.264解码芯片设计中的串扰分析过程为例,讨论了......
对ASIC设计的工作流程和相关工具软件进行了简要介绍,并概括了ASIC设计的发展过程和较新趋势,以促进大家对芯片设计领域的认识和了......
引言产品的内在质量要靠每一层组件的EMC性能保证,在解决技术上应关注和克服产生EMC问题的原因.......
与ASIC设计的其他技术一样,SoC的出现是以许多技术支撑为条件的.这些技术包括深亚微米工艺技术、IP核的优化及重用技术、EDA技术、......
Synopsys公司与中芯国际集成电路制造(上海)有限公司(Semiconductor Manufacturing International Corporation, SMIC,以下简称中......
提出了一种考虑了布线延迟的片上系统设计流程， 并运用一个新的、全芯片的、门级静态时序分析工具支持片上系统设计。实例设计表明， ......
由于电子产品的发展,将工艺从0.18um提升到90nm,随之而来的90nm工艺芯片设计面临的诸多问题,如互连线延迟增加、电迁移、天线效应......
随着超大规模集成电路向深亚微米工艺的发展，高速度、高集成度、低功耗成为当今集成电路的主要特点。设计如此高性能的芯片使我们面......
当前集成电路产业向深亚微米工艺不断推进,正力图突破45nm大关。现有EDA工具难以应付复杂度呈指数增长的诸多VLSI电路设计难题,也......
信息革命及ULSI硅片时代的来临，使单片功能集成度持续增长，驱动着对更大电路密度和更高性能的需求。为了提高ULSI的频率特性，按比例缩......
自从IC诞生以来，IC芯片的发展基本上遵循了摩尔定律，目前已经突破100nm大关，相应的系统规模的扩大，使得IC物理设计中的很多困难日益NP......
本文回顾了集成电路设计方法学的发展，提出了它们的共同点是基于综合的设计思想，详细地介绍了综合的基本原理、特点、作用、综合的系......
深入研究了深亚微米工艺下的CMOS Gilbert混频器噪声产生机理,提出了深亚微米工艺下的混频器噪声系数性能解析模型.基于0.25 μm标......
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