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溅射深度剖析现已成为测量材料表层及薄膜中元素成分分布的一种常规技术,对其工作参数的研究是其发展迅速的重要原因。本文在介绍......
辉光放电原子发射光谱仪(Glow Discharge Optical Emission Spectrograph, GD-OES)是近年来出现的用于物质表面化学成分检测的现代......
介绍了将离子枪组合于卢瑟福背散射分析靶室中构成Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ／ＲＢＳ原位分析实验装置，用低能离子溅射剥层与高能离子背散射组合对薄膜样品进行成分和......
利用磁控溅射的方法制备了Cr、 Ta、 Al、 Mo、 MoW等金属薄膜，采用XRD、 SEM、四探针法等分析手段分析了薄膜的性能。讨论了衬底温......
研究了Ta种子层的厚度、溅射速率对Ta/Ni65Co35双层膜各向异性磁电阻值(△p/p)、矫顽力和织构的影响.研究表明,适当的Ta层厚度和较......
在离子束辅助镀膜工艺中,离子源工作参数无疑是影响薄膜质量的关键因素.本文对宽束冷阴极离子源溅射特性进行了研究,给出了离子源......
从粒子的产生、输运及表面反应出发,建立总的输运模型并得到靶的溅射速率和化合物的复盖度.模型中都是以宏观工艺参数及反应室结构......
从理论上分析了平面磁控溅射靶沉积薄膜的厚度均匀性。根据磁控溅射阴极靶刻蚀的实际测量数据 ,建立了靶的刻蚀速率方程 ,以此为依......
影响NiCr薄膜电阻TCR的因素很多,我们分别从溅射淀积工艺和热处理工艺来研究和探讨NiCr薄膜电阻TCR与溅射时的真空度、溅射速率、......
采用磁控溅射法制备铝膜是微电子工艺制备金属薄膜最常用的工艺之一,然而在使用磁控溅射设备制备铝膜时,往往会发现调用同一个工艺......
磁控溅射自20世纪70年代诞生以来,因较高的沉积率和成膜质量而成为薄膜制备的重要手段之一,被广泛应用于集成电路制造、特殊功能材......
