漏致势垒降低相关论文
针对Si/SiGe pMOSFET器件结构求解泊松方程,同时考虑器件尺寸减小所致的物理效应,如漏致势垒降低（DIBL）效应、短沟道效应（SCE）和速度过......
该文针对PSP模型中漏致势垒降低效应建模纯经验性的缺点,通过求解二维泊松方程得到漏致势垒降低效应引起阈值电压漂移的解析解,并......
应变硅材料迁移率高、能带结构可调,且其应用与硅工艺兼容,是当前国内外关注的研究领域和研究发展重点,在高速/高性能器件和电路中......
学位
随着半导体器件等比例缩小至纳米领域,器件的部分技术指标已经或者正在接近其固有的物理极限,各种纳米效应与可靠性问题限制了器件......
近年来,电子技术的革新不断推动着超大规模集成电路(VLSI)产业迅猛发展,但随着等比例尺寸的不断缩小,传统的平面MOSFET器件的电学......
