本文利用PVT法生长6H-SiC单晶的原理和生长设备的构成与功能，探索了用PVT法生长6H-SiC单晶的工艺，并利用自制的碳化硅晶体生长设备成......

用物理气相输运(Physics Vapor Transport)法生长的SiC单晶常常出现同质异晶型(polytypes)夹杂。由于异晶型间电学特性差异较大，使......

采用物理气相输运法( PVT),以Cr2+∶ ZnSe多晶为原料,在源区温度约为1000℃、温差为6～7℃条件下生长2周,获得了体积约为0.7 cm3的Cr......

本文从物理气相输运法生长碳化硅单晶的实际装置出发，对系统中的电磁感应部分建立模型，采用有限元素法对矢势进行数值分析，进而给出系......

采用物理气相输运法对ZnSe(4N)多晶原料在850℃±10℃进行提纯,再用高压坩埚下降法在1530℃、氩气保护气氛下生长出高质量ZnSe......

采用物理气相输运法（PVT），以Cr^2＋：ZnSe多晶为原料，在源区温度约为1000℃、温差为6-7℃条件下生长2周，获得了体积约为0．7cm^3的Cr^2＋：ZnSe晶......

碳化硅(SiC)是第三代半导体材料,具有高禁带宽度,高击穿电场强度、高电子饱和漂移速度、高热导率等特性。这些特性使SiC半导体材料......

硒化镉(CdSe)属于Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,具有优异的光学和电学性能。在红外非线性光学晶体材料研究领域,CdSe具有独特的优点:透光范围......