特征导通电阻相关论文
功率半导体领域高速发展和迭代,对其核心的功率半导体器件提出了更高性能、更高稳定性的要求。作为功率半导体器件的一员,碳化硅功......
功率半导体器件是各类用电设备的核心部件。随着手机快充、电动汽车、无刷电机和锂电池的兴起,对中压金属氧化物半导体场效应晶体......
具备耐压能力强、高频性能、易集成等诸多优点的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管（Lateral Double-diffused Metal Oxide Semico......
学位
100V横向双扩散金属氧化物半导体场效应管（Lateral Double-diffused Metal Oxide Semiconductor,LDMOS）被广泛应用于汽车电子及智能......
随着功率集成技术的不断发展,横向双扩散金属氧化物半导体场效应管（Lateral Double-diffused Metal Oxide Semiconductor,LDMOS）因其......
功率MOSFET因其输入阻抗高、开关速度快的特点,在功率半导体器件领域占据重要地位,应用范围不断扩大。但是,作为单极型器件的功率M......
第三代半导体材料碳化硅(SiC)之所以能够成为在高温、高辐射、高压、高频等条件下应用的候选材料之一，是因为其优越的物理特性（宽禁......
Cool MOS具有优越的直流特性.为了设计出一个600V CoolMOS结构,首先CoolMOS的结构人手,结合电荷平衡理论,分析了其高击穿电压BV、......
详细地介绍了一种新型实用的VDMOSET特征导通电阻的物理解析模型.该模型不仅物理概念清晰,有利于定型指导器件的研制和生产,而且简......
主要研究高压VDMOS器件的设计方法.理论分析了VDMOS结构参数与其主要性能的关系.按700VVDMOS器件击穿电压和导通电阻的设计要求给......
介绍了一种具有高阈值电压和大栅压摆幅的常关型槽栅AlGaN／GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管。采用原子层淀积( ALD)方法实现......
以低压条形VUMOSFET单胞为例，系统分析VUMOSFET特征导通电阻（Rcn）的各个构成部分。重点定性分析了特征导通电阻与器件的横向和纵向结......
文章以正方形单胞为例,较系统地分析了VDMOSFET的特征导通电阻与结构参数之间的关系.重点讨论了N沟道VDMOSFET的P-体扩散区结深Xjp......
对六角形单胞VDMOSFET的特征导通电阻建立了一种新的数学模型-等效截面模型.给出了特征导通电阻与器件的横向、纵向结构参数的关系......
比较系统地分析了正六角形单胞VDMOSFET的特征导通电阻模型．...
对击穿电压为60 V,导通电阻为10 mΩVDMOSFET进行了优化设计.给出了外延层电阻率,外延层厚度,单胞尺寸等的优化设计方法和具体值.......
介绍了功率VDMOSFET导通电阻的模型,重点讨论了栅SiO2厚度Tox对特征导通电阻RonA的影响,经过大量的理论计算,给出了击穿电压为20 V......
本文以正方形单胞为例,较系统地分析了器件的物理机制、结构及其工作原理,并通过大量计算和分析找出多晶硅窗口区尺寸LW和多晶硅尺......
横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(Lateral Double-diffused Metal Oxide Semiconductor,LDMOS)由于具有耐压能力强、工作电流......
介绍了六角形单胞功率VDMOSFET特征导通电阻的数学模型,计算了不同漏源击穿电压下,各种电阻分量在特征导通电阻中所占的比例,分析......
本论文主要研究的是高压功率MOSFET元胞结构,目标是通过元胞结构参数的仿真分析,设计出一款耐压高、特征导通电阻和特征栅漏电容小......
近些年来，随着电力工业的发展和环保意识的提高，高效和节能越来越受到人们的重视。因此，对功率MOS器件的功耗和转换效率要求也越来越......
把多个侧壁阶梯氧化层应用于分离栅沟槽MOSFET（Split-Gate Trench MOSFET,SGT结构）,并把改进的结构称为多阶梯侧壁氧化层分离栅沟槽M......
较系统地分析了正方形单胞结构VDMOSFET的特征导通电阻与结构参数间的关系.详细地介绍了一种新型实用的VDMOSFET的特征导通电阻的......
碳化硅(SiC)作为宽禁带半导体材料,具有高热导率、高临界击穿电场和高电子饱和漂移速率等特点。SiC功率器件相比传统硅基器件功耗......
围绕TrenchMOS的击穿电压BVds、特征导通电阻Ron和栅漏电荷Qgd这三个最重要的特性指标,对TrenchMOS进行分析和改进,提出了体内注入......
设计了一款VDMOS器件的元胞结构,采用半超结结构模型.传统VDMOS结构的导通电阻会随着击穿电压的增长而增长,而半超结结构可以缓和......
详细地介绍了一种新型实用的VDMOSET特征导通电阻的物理解析模型.该模型不仅物理概念清晰,有利于定型指导器件的研制和生产,而且简......
以正方形单胞为例,较系统地分析了VDMOSFET的特征导通电阻与结构参数之间的关系.重点讨论了N沟道VDMOSFET的P-体扩散区结深Xjp-和......
功率MOSFET具有输入阻抗高、驱动功率低、开关速度快、频率特性好以及热稳定性高等优点,获得越来越广泛的应用。市场的广泛应用,对......
目前能源供不应求，“开源”和“节流”是两条最根本的解决途径。利用功率半导体器件提高系统的效率，降低能耗，属于“节流”的范畴，而发......
针对国内外对MOS器件及功率器件的需求,以及VDMOS(即纵向双扩散MOS场效应晶体管,Vertical-Double-Diffused MOSFET的缩写)优良的开......
肖特基势垒二极管（Schottky Barrier diodes，SBD）是利用金属与半导体之间的接触势垒进行工作的功率器件，适合在低压、大电流输出场合用......
CoolMOS具有优越的直流特性。为了设计出一个600V CoolMOS结构,首先CoolMOS的结构入手,结合电荷平衡理论,分析了其高击穿电压BV、......
主要是寻找一种优化设计1000V的VDMOS的方法.通过分析VDMOS导通电阻及关态击穿电压的理论模型,找到影响器件静态特性的主要参数:外......
介绍了新一代电力电子器件VDMOS的发展概况及工作原理,分析了其技术特点与优势,重点阐述了近年来国际上VDMOS在高压大电流及低压大......
随着人们环保意识的提高,高效和节能的思想已经渗透到生活的各个方面。功率MOSFET作为目前应用最为广泛的功率器件,人们对其功耗要......
本课题依据国家科技重大专项“02专项-极大规模集成电路制造技术及成套工艺”的子课题-“SOI工艺平台下器件的表征与分析”的要求......
Power MOS器件具有特征导通电阻小、开关速度快及集成密度高等优点,已广泛应用于DC-DC开关电源转换器中。然而,Power MOS器件作为D......
碳化硅(SiC)由于其带隙宽、热导率高、电子的饱和速度大、临界击穿电场高等特点成为制作高温、高频、大功率和抗辐射器件的首选半......
本文研讨了不同类型的超结器件实现低于250V击穿电压的可扩展性。以额定击穿电压为80V的超结功率MOSFET为例,研究了器件几何构造和......
