在分析铝的物理化学特性的基础上,对甚大规模集成电路(ULSI)铝布线化学机械抛光(CMP)机理进行研究,确定采用碱性抛光液。阐述了所......

本文针对甚大规模集成电路的时延驱动布局问题提出了一个新的解决途径,其策略是将结群技术应用于二次规划布局过程中.结群的作用是......

1959年，Robert Noyce与Jack Kflby共同发明了集成电路，在电子行业内掀起了一场革命。从那之后，集成电路的发展极为迅猛，从SSI（小规模集......

提出了在碱性浆料中ULSI多层布线导体铜化学机械抛光的模型，对铜CMP所需达到的平面化、选择性、抛光速率控制、浆料的稳定及洁净度......

为满足甚大规模集成电路（ULSI）互连结构高质量、高效率化学机械抛光（CMP）的要求，以LB2Mer模型为理论指导，对恒液面聚合生长法制备大粒径......

对用于甚大规模集成电路(ULSI)制造的关键平坦化工艺--铜化学机械抛光(CMP)技术进行了讨论.着重分析了铜化学机械抛光的抛光过程和......

随着集成电路向着甚大规模集成电路(ULSI)日新月异的发展，作为衬底材料的硅单晶片的尺寸越来越大，特征尺寸也不断减小，对硅衬底抛光片......