电压基准源相关论文
空间引力波探测面向0.1 mHz～1 Hz频段引力波信号,在此频段内包含了更大特征质量和尺度的波源信息.目前的空间引力波探测计划都采用......
随着社会对智能产品依赖越来越强,其对产品的功能要求也越来越高。芯片作为产品设备中重要组成部分之一,目前主要面临着两大挑战,......
近年来,针对硬件安全的研究已经逐渐从基于密钥的加密算法转向硬件固有的信任根。物理不可克隆函数因为其轻量级,低功耗,快速响应......
电压基准源是模拟集成电路中的一个重要的单元,广泛应用于模数转换器、数模转换器、动态存储器等集成电路中。传统的带隙基准电压......
随着集成电路工艺的发展，在数模混合及模拟集成电路中，设计芯片内部基准电源以及开发单片基准源已成为各个国际模拟电路公司的重点。......
这里介绍Linear公司几个带“最”字的电压基准源集成电路。 1.最高精度的低压差电压基准源LT1461 LT1461-2.5输出电压2.5V。其主......
采用Chartered 0.18-μm CMOS工艺,设计了一种基于MOS亚阈值特性的全MOS结构电压基准源。它利用VT的正温度特性补偿VTH的负温度特......
设计了一种基于电流模式的电压基准源,基准电压值可灵活调节,范围达几百毫伏到几伏。提出了一种实现形式简单、可扩展性强的新型分......
随着生产工艺的不断进步和芯片复杂度的增加,系统级芯片对稳压源精度、稳压值多样化、稳压源版图面积的要求越来越高。在充分考虑......
通过利用改进型低压Tracking-VGS结构的栅源电压差ΔVGS,对NMOS晶体管的阈值电压进行补偿,提出一种全MOS低温漂电压基准源结构,获......
根据不同直流电压基准源芯片的温度漂移互相独立的特点,研究单个电压基准源芯片输出的温度特性,提出一种利用平均值电路降低基准电......
设计了一种非带隙结构的电压基准源,并对该基准源作了电源抑制特性的理论分析。这一设计在Chart-ed0.35μm CMOS工艺条件下流片实......
基于传统CMOS带隙电压基准源电路的分析，结合曲率补偿技术设计了一种带衬底驱动运算放大器的低电源电压的电压基准源电路，主体电路采......
在此基于SMIC 0.18μm CMOS工艺，设计一种高精度低温漂的低压基准电压源。该基准源的供电电源电压为1.8 V，输出电压为1.0 V，电路的总......
在原有经典三条支路结构的带隙基准电路基础上,通过减少带隙电压源的电流源镜像次数及控制电流源漏源电压,在减小器件失配影响的同......
随着物联网、5G通讯以及便携式产品的迅速发展,功耗高和电池续航能力不足的矛盾越来越突出。在一些超低功耗(ULP)应用,例如微型传......
介绍了一种超低功耗、无片上电阻、无双极型晶体管(BJT)的基于亚阈值CMOS特性的基准电压源,该带隙基准源主要用于低功耗型专用集成......
介绍了一种基于霍尔传感器的磁悬浮轴承磁场均匀性测试系统的设计。该系统由信号采集、信号处理、显示电路和控制电路等组成，并通过......
提出一种基于SMIC 65 nm标准CMOS工艺库的高精度电压参考源电路。对3种不同类型偏置于亚阈值区的NMOSFET进行了讨论,采用无电阻温......
设计了一种基于亚阈值技术的全MOS电压基准源,采用共源共栅结构来增大PSRR,使用MOS管代替电阻,优化温度特性,使电路中大部分MOS管......
本文介绍了一种抗辐射加固可编程电压基准源的电路设计。本文分析了可编程电压基准源的电路结构,以及总剂量辐射对双极性电压基准......
随着物联网和便携式电子产品的快速发展,电子产品的小型化和长续航对于集成电路的低功耗要求不断增高。如在植入式医疗电子设备、......
随着CMOS工艺技术进入深亚微米时代,输出电压在1.2 V左右的传统带隙基准电压源已不再适合电源电压逐渐降低的集成电路,因此与标准C......
电压基准源是模拟电路(混合信号电路)设计中广泛采用的一个关键的基本模块,它的温度稳定性以及抗噪性能影响着整个电路系统的精度......
介绍了一种应用于锂电池保护芯片的低功耗CMOS电压基准源。该电路采用耗尽型NMOS管作电流源器件,结合负反馈,实现了稳定的电压基准......
通过分析电源供电方式对测量精度的影响,采用间歇式恒流源对称重传感器供电,设计了基于滤波器和仪用放大器的信号调理电路,采用串......
设计了一种全双极电压基准源结构,利用BJT反向饱和电流的温度特性,对一阶补偿的基准电压进行指数曲率补偿,改善了基准输出电压的温......
基准源在集成电路中占据举足轻重的地位，它被广泛应用到DA、AD及动态存储中。然而基准源模块受外界影响较大，在温度及电源电压或者工......
给出一低功耗、低温度系数的电压基准源电路的设计。其特点是利用工作在弱反型区晶体管的特性,该电压基准源采用CSMC 0.5μm,两层P......
随着便携式电子设备系统规模的迅猛发展,电池续航时间问题成为系统设计者的首要考虑因素之一。由于目前电池容量的提升速度远远落......
在传统的电流模电压基准结构下,基于一阶补偿后的电压基准输出特性,设计了一个简单的高、低温补偿电路,在宽的温度范围内（-50~150℃......
在信息社会，提供稳定可靠的电源已成为了整个电子产业的基础。近年来，随着微电子技术的不断发展，各种便携式电子产品层出不穷，目前发展......
电源管理是电子系统不可或缺的一部分,随着工艺尺寸的不断缩小,片上系统的迅速发展,它也在朝着高集成化的方向发展。将电源管理电......
本文研究课题来源于国家自然科学基金的重点项目(编号:60436030)。跨周期调制模式PSM(Pulse Skipped Modulation)是一种新型调制模......
与传统的带隙基准电路完全使用p-n结达到高次温度补偿不同，提出利用标准CMOS工艺下不同电阻的不同温度系数，实现温度的高次补偿，大大......
提出了一种用于全MOS电压基准源的新颖预抑制电路。采用一个大宽长比PMOS管和负反馈环路,将预抑制电压与基准电压之差固定为一个阈......
基于标准N阱CMOS工艺设计了一种带隙基准电压产生及输出驱动转换电路.该电路采用0.6μm CSMC-HJ N阱CMOS工艺验证,HSPICE模拟仿真......
文章设计了一种工作在亚闽值状态下的CMOS电压基准源，分析了MOSFET工作在亚闽区的电压和电流限定条件。电压基准源可提供与工艺基本......
提出一种新的电压基准结构。利用工作在亚阈值区的MOS管,产生与T2相关的电流进行温度补偿。采用电压预调节结构,改善PSRR。设计了......
