电源抑制比相关论文
针对电源管理类芯片对宽输入范围、高电源抑制比的需求，设计一款新型带隙基准电路。外部电源经两级限压限流得到核心基准模块的电源......
本文基于标准SMIC 65nm工艺，设计了一款输入电压为2.5V，输出电压为1.217V的带隙基准电路。本文首先介绍了传统的带隙基准电路工作原......
为改善无片外电容LDO（Capacitor-Less Low-DropOut regulator,CL-LDO）的电源抑制比（Power Supply Rejection,PSR），本文提出一种低静态电......
当今社会是一个集成电路产业和半导体制造工艺技术极速发展的社会,对于作为集成电路关键模块之一的带隙基准,人们发现传统带隙基准......
近年来由于集成工艺水平的提高，电路设计技术的不断改进，模拟集成电路的设计得到较大的进展，同时对电路的性能提出新的挑战。目前随着......
现代高能物理实验的顶点探测器的功耗和散热逐渐成为在顶点探测器芯片设计时考虑的主要因素。提高顶点探测器芯片工作的温度可以缓......
采用0.18 μm CMOS工艺,设计了一种低压差线性稳压器(LDO).分析了传统LDO在重载高频下电源抑制比(PSR)的缺陷,提出一种带有多级缓......
随着数字通讯技术的不断发展,模数转换器作为连接模拟信号与数字信号之间的纽带,在集成电路产业中得到广泛应用。在众多结构的ADC......
随着手机的不断普及和手机功能的不断增加，对电源管理的要求也更加复杂和严格。目前，电源管理集成电路市场大部分被国外产品占据，研究......
带隙基准源是模拟集成电路中一个重要的单元。它为其它功能模块，比如偏置电路，参考电路提供高精度的电压基准，或由其转化的高精度电流......
随着模拟集成电路的快速发展以及半导体制造技术的迅猛发展,使得芯片的集成度大幅提升以及芯片成本的降低,与此同时也给IC设计者带......
激光三维成像技术目前已广泛应用于地形测绘、构建虚拟环境、城市建模、军事侦察等领域。车载三维激光成像雷达是ADAS的核心部件,......
摘要：设计一种低压共源共栅带隙基准源，具有结构简单、面积小、电源抑制比较高等特点。該电路采用CSMC 0.35um cMOs工艺，用cadence中......
针对集成电路中需要多路不同基准电流的问题,设计了一种高性能的双极型基准电流源.分析了传统带隙基准源的基本原理,并对传统电流......
本文设计了采用曲率补偿,具有较高的温度稳定性的高精度带隙基准电压源。设计中没有使用运算放大器,电路结构简单,且避免运算放大......
设计并实现了一种简单的、多输出的带隙基准电路,利用pnp型双极型晶体管作为射极跟随器驱动带隙基准,工作电流由与绝对温度成正比......
传统设计中平衡温度时的带隙基准电压值是与工艺相关联的定值。主要基于通用的带隙技术讨论在CMOS工艺中基准产生的设计,在对基准......
期刊
设计了一种输出电压为0.72 V、带曲率补偿的带隙基准电路,该电路适用于收发器等数模混合电路.基于SMIC 0.18 μm CMOS工艺,对电路......
设计了一种针对基准电压输出非线性的分段温度补偿电压基准源。该电路在基准源工作的低温和高温阶段对输出进行温度补偿,实现低温......
根据带隙基准的基本原理,结合含三条支路负反馈的电流源,设计了一种高阶补偿的带隙基准源电路。实现了对温度的2阶补偿和3阶补偿,......
设计并实现了一种基于双极型工艺的2.5 V高精度大负载电流集成基准电压源电路,通过对传统带隙基准电路的改进,设计中增加了电源电......
设计了电流模式曲率补偿的CMOS带隙基准源,基本原理是利用两个偏置在不同电流特性下的三极管,得到关于温度的非线性电流,补偿VEB的......
本文提出了一种基于双极性工艺的高性能带隙基准电压源的设计.该电路结构简单,性能优异.用Spectre进行仿真,结果表明,在-50～90 ℃的......
在分析标准的CMOS带隙基准原理的基础上,设计了高精度、高电源抑制比的CMOS带隙基准电压发生器。其特点是采用内部电压减小电源噪......
设计并实现了一种bipolar工艺下的高精度带隙基准电路,通过Hspice验证,具有2.28(10-6K-1的温度系数,在(V=10V的宽电源电压幅度范围......
在ADC设计中,噪声有多个来源,主要是ADC自身的电源,特别是在转换器周围设计和放置的电路走向.通过优化的设计考虑,可以把噪声对高......
电源抑制比(Power Supply Ripple Rejection;PSRR)是专门衡量电路对于电源内各种频率纹波的抑制能力,这在许多射频和无线应用中非......
本文介绍了带隙基准电压源的原理，实现了一个高精度的带隙基准电压源电路。此电路在-20℃～100℃的温度范围内，有效温度系数为6．1ppm／℃；......
设计了一种输出电压可调、带二阶曲率补偿的低温度系数带隙基准电路，并基于BCD0．35umTT模型工艺、采用CADENCE软件进行了仿真验证。......
基于0.5μm CMOS工艺,设计了一种采用新颖分段曲率补偿技术的低温漂带隙基准源,利用2种不同的电流补偿结构,分别在中温和高温阶段......
文章设计了一种用于单片集成DC-DC变换器的高性能带隙基准电压电路。当温度从-40℃。125℃变化时，温度系数为23ppm／k，其电源抑制比（PSR......
利用嵌入式密勒补偿技术，我们设计了一种应用于LDO的高性能放大器。在保证良好的相位裕度和稳定增益带宽的条件下．该放大器还具备高......
介绍了带隙基准电压源的基本原理，设计了一种高精度带隙基准电压源电路。该电路采用中芯国际半导体制造公司0．18μmCMOS工艺。Hspice......
提出了一种双环反馈拓扑结构的D类音频功放。通过对基于脉冲宽度调制的D类功放反馈系统的分析，指出环路参数对总谐波失真THD和电源......
设计了一款应用于LDO线性稳压器的高性能CMOS带隙基准电路．详细分析了它的工作原理，并给出了具体电路、仿真波形以及分析数据。该电......
基于标准0．35umCMOS工艺，采用一级温度补偿电压作为温度曲率校正电压，与传统采用PTAT电压作为温度曲率校卫电压相比，获得了一个电路结......
基于SMIC0．35μm的CMOS工艺．设计了一种高电源抑制比，同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比......
阐述了一种采用了一阶温度补偿技术设计的CMOS带隙基准电压源电路.该电路采用Chartered0.25 μm N阱CMOS工艺实现.基于HSPICE的仿......
基准电压源是集成电路的一个非常重要的组成单元．在数模转换器和模数转换器以及各种无线通信产品中．基准电压源是一个必不可少的组成......
设计了一种改进的带隙基准电压源，通过采用分段电流补偿的方法，实现了低压高精度供电。研究基于TSMC0．35μmCMOS3V工艺基础，重点考虑主......
基于CSMC 0.5μm CMOS工艺,采用CMOS技术,设计一种高性能的带隙基准电压源.带隙基准电压源输出电压经过电平转换电路,反馈回带隙基......
设计了一种指数型曲线补偿的带隙基准源电路.利用Bipolar管的电流增益随温度呈指数型变化的特性,有效地对基准源进行指数型温度补......
介绍了一种基于0．6μm BiCMOS工艺的用于白光LED驱动电路的温度补偿技术，详细分析了该带隙基准电路的工作原理，并采用HSPICE软件对运......
采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种电源电压为3 V、基准输出为1.25 V的高电源抑制比、低温度系数的带隙基准电压源电路.Cadenc......
