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本文基于ICP方法对长波HgCdTe材料表面进行了氢化处理,首次在同一焦平面器件上实现了氢化工艺效果的对比。利用原子力显微镜(AFM)......
采用不同的溅射功率在长波HgCdTe(碲镉汞)薄膜表面沉积了CdTe钝化膜,制备了相应的MIS器件和二极管器件,并对器件进行了I-V测试和C-......
介绍了用高、低频组合电容法测量HgCdTeMIS器件钝化层界面态密度能量分布的基本原理和步骤。研究表明，自身阳极硫化＋单层ZnS对HgCdTe......
介绍了HgCdTeMIS器件的制备及由其C-V特性计算、分析界面电学特性的基本原理和步骤。利用MIS器件高频C-V曲线耗尽区的电学特性推导......
