相变存储材料相关论文
随着全球数据量的增加,传统存储系统（比如:Flash memory,FLASH）因其物理结构的限制而逐渐满足不了大数据时代对数据存储的快速、高密......
相变存储技术紧密联系着人们的日常工作和生活,已然成为不可或缺的重要部分。相变存储器凭借其高密度快速存储、多次循环擦写、抗......
学位
相变材料是相变存储器研究中的核心问题。目前,研究较为广泛的相变材料体系主要是SbTe,但是该材料体系非晶态热稳定性存在局限导致......
人工智能等数据密集型产业的发展,对数据的存储介质和处理介质提出了极高的要求。作为利用材料相变产生的电阻差来进行数据存储的P......
相变存储器由于其具有电阻窗口大、读写速度快、功耗低以及尺寸可缩小性等优点,成为最具有发展前景的下一代存储器之一。为了实现......
作为非易失性存储技术,相变存储被认为是下一代存储技术最优解决方案之一。GeTe-Sb2Te3伪二元合金是目前为止比较成熟的一类相变材......
相变存储器作为下一代非易失存储器在信息存储领域有着广阔的发展空间和应用前景。相变存储器在尺寸延缩性、功耗、兼容性上都表现......
信息技术的飞速发展要求存储器必须具有存储密度高、速度快、不挥发和能耗低等特点。目前的主流存储技术Flash以其读写速度慢、擦......
与其他类型存储器相比,基于硫系化合物的相变存储器（Phase-changeRandom Access Memory,简称PRAM）,具有不挥发性、循环寿命长(大于10......
本论文旨在通过第一性原理方法从理论上研究先进相变存储材料和结构材料的物理性质与化学性质。
在第一章中，我们介绍了本论文......
相变存储材料在光存储领域具有广阔的应用前景，GaSb是综合性能优异的相变存储材料，热稳定性好、晶化速率大、结晶化时间短。电化学方......
本论文利用先进的透射电子显微技术(包括选区电子衍射、明暗场形貌像、高分辨像、高角环形暗场像及模拟技术)，对新型二元相变存储材......
实验表明,硒(Se)掺杂可以大幅提高锗碲(Ge Te)相变存储材料的再结晶温度,使其具有更高的服役温度和更好的数据保持力,然而Se掺杂对......
作为一种新型存储技术,相变存储技术表现出非易失性、读写速度快、使用寿命长以及与现有半导体技术兼容性好等优点,自进入人们视野......
介绍了相变存储材料的工作原理与其工作性能之间的对应关系,相变存储材料的开发与材料性能要求密不可分,在分析当前主流相变存储材......
相变存储器具有非易失性、循环寿命长、元件尺寸小、功耗低、多级存储、与现有集成电路工艺相兼容等诸多优点,被认为是最具潜力的......
