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Ⅱ-Ⅵ族和Ⅰ-Ⅵ族金属硒化物是一类重要的半导体纳米材料,其带隙通常在0.1到3.0 eV之间,可作为各种红外探测器件、发光装置、光催化......
本文通过感应熔炼和分区退火相结合的方法制备了3R型Lao.77Mg0.23Ni3.72, La0.68Mg0.32Ni3.01和Ndo.69Mgo.3iNi3.0合金电极,研究了......
铁酸铋在室温下具有多铁性,即同时含有铁电性和反铁磁性。铁酸铋的微观结构是钙钛矿型对称三方晶系结构,属于R3c点群。由于铁酸铋(......
以卵磷脂为表面活性剂,正丙醇为助表面活性剂,肉豆蔻酸异丙酯(IPM)为油相,配制成W/O型微乳。并通过浊点法、电导法、动态光散射法(......
当今时代,信息的爆炸性增长及后摩尔定律的新技术发展对器件数据存储密度的提升和能耗的降低提出了新的要求,而自旋电子器件的发展......