真空沟道场效应管相关硕士博士期刊学术论文 - 信丰网

真空沟道场效应管相关论文

无结场效应管——新兴的后CMOS器件研究进展

迄今为止,现有的晶体管都是基于PN结或肖特基势垒结而构建的。在未来的几年里,CMOS制造技术的进步将导致器件的沟道长度小于10nm。......

期刊

摩尔定律 CMOS器件无结场效应管量子阱场效应晶体管碳纳米管场效应晶体管石墨烯场效应晶体管二维半导体场效应晶体管真空沟道场效应管

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