砷化镓异质结双极晶体管相关论文
在对已发表的GaAs HBT文献的研究中发现,其截止频率fT的理论计算结果比实验值小很多,而相应的文献中并没有给出fT的计算结果.针对......
介绍了一种采用砷化镓HBT工艺实现的数字静态除8高速预分频器。该预分频器采用D触发器高速分频和多级供电驱动电路结构。测试结果......
本文采用1μm砷化镓异质结双极晶体管工艺,设计了一款推推式压控振荡器(VCO)。该压控振荡器以交叉耦合差分结构为基础,将交叉耦合......
为了降低双极型工艺中二极管对相位噪声的影响,实现了一种工作在K波段的全集成差分压控振荡器.该振荡器基于砷化镓异质结双极晶体......
采用2μm GaAs HBT技术实现了单片集成线性功率放大器（PA）在5 GHz无线局域网中的应用。在单端三级功率放大器中应用片上电感和键合线......
介绍了移动通信用GaAs HBT功率放大器的设计、制作,给出了电路拓扑.该两级放大电路在1 800 MHz、3.6 V偏压下,相关增益＞30 dB,1分贝......
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