硅外延相关论文
传统的功率器件一直是用纵向的低掺杂漂移层作为耐压支持层,但近年来,一种称为“超结”的CoolMOS器件逐渐流行,这种“超结”结构很......
目前硅外延生长常用方法是以电子级二氯二氢硅为反应气体,采用化学气相沉积的气相外延法.二氯二氢硅生产工艺主要有歧化法、氢化法......
利用UHV／CVD技术，在较低的温度下，在阳极氧化形成的双层多孔硅上，成功地生长了单晶性好、厚度均匀、电阻率分布合适的硅单晶外延层。这......
河北普兴电子科技股份有限公司 【摘 要】外延炉内部对称性是炉子设计中非常重要的因素，本文主要从对称性出发来说明2061气流和......
报道了采用超高真空化学气相淀积 ( UHV/CVD)在多孔硅层上的单晶硅外延技术 .研究了两步阳极化法形成不同多孔度的双层多孔硅层及......
期刊
轻掺硅外延层/重掺衬底的过渡层结构、厚度均匀性、电阻率均匀性等关键参数与所制器件的性能密切相关。通常基于重掺衬底的轻掺硅......
结合高压IGBT器件用200mm硅外延材料的特性要求,从表面缺陷控制、滑移线控制,以及产品电阻率纵向结构分布控制等方面,研究了外延材......
LPE 3061作为硅外延材料领域的主流设备,得到了世界范围内的广泛使用。本文从LPE 3061实际生产经验出发,以减少实际生产中产品缺陷......
重掺衬底掺杂剂在硅外延过程中通过气相和固相扩散进入反应系统,不仅对当前反应产生自掺杂效应,而且还会对后续外延产生影响,即系......
本文提出了一种新的减小硅外延自掺杂影响的二步外延方法。利用该方法在均匀的重掺As衬底上外延,以10~(14)～10~(18)/cm~3浓度区域计......
本文采用附面层模型,对硅外延中的自稀释现象作了理论分析,分析了生长速率、气体流速及外延生长温度等因素对自稀释的影响.提出了......
高压As-MOS管用硅外延材料制备工艺的难点在于重掺砷(As)衬底外延的自掺杂和固态外扩散严重,外延电阻率和过渡区不易控制。在多片......
本文描述了硅外延层中的滑移线及其出现的规律.克服滑移线的关键是:使硅片中的应力降低到临界值以下.临界值应力与晶片的完整性和......
应用多物理场分析工具COMSOL Multiphysics软件中的磁场和固体传热两种模块,建立了平板式外延炉反应腔体的有限元模型。结合高频感......
21世纪的微电子技术仍将以硅为主流。硅外延材料为半导体硅器件特别是各类硅集成电路的发展提供了坚实、可靠的物质基础,支撑着当......
采用在阳极化反应时改变电流强度的办法 ,在高掺杂的 P型硅 (111)衬底上制备了具有不同多孔度的双层结构多孔硅层 .用超高真空电子......
扩展电阻法利用测量纵向深度电阻率的变化获得外延片厚度。实际外延片测试过程中,经常发生扩展电阻测试仪测量硅外延片厚度误差较......
硅外延工艺化学气相沉积可以赋予材料表面一些特殊的性能,可用在刀具材料、航空材料、生物医用材料等领域,而且随着科学技术的发展......
轻掺硅外延层/重掺衬底结构作为现代电力电子器件的关键基础材料,其厚度均匀性、电阻率均匀性等关键参数与所制器件的性能密切相关......
<正> 一、引言金属有机化学气相淀积法(简称MOCVD法)是1968年由H.M.Manasevit等首先提出的。该法以挥发性金属有机物和气态的非金......
用扫描电镜、透射电镜和二次离子质谱研究了硅外延片中的Ｓ坑缺陷。在Ｓ坑缺陷中观察到一种线度比通常Ｓ坑更大的浅底坑缺陷。研究表明Ｓ坑......
通过理论计算,对VDMOS器件的外延层厚度和掺杂浓度进行了优化设计,探讨用于VDMOS的外延工艺,讨论了外延层厚度和过渡区的测试方法,......
超纯氢气 (大于 6N)是半导体硅外延等工艺必备的工艺气体。文章介绍了利用超低温吸附的方法提纯大流量超纯氢气的工作原理 ,设备制......
在半导体集成电路制造工艺中 ,超纯氢气是必不可少的重要工艺气体。特别是在硅外延工艺中 ,氢气对工艺质量起着决定性作用。因此 ,......
根据硅外延的要求,以提纯粗三氯氢硅来制造外延用电子级三氯氢硅。精馏是比较有效的杂质分离过程,但是不同的物质其精馏过程中各项......
硅外延使用包封SiC的石墨基座,基座的尺寸及基座上承载槽的形貌和硅外延片的滑移位错直接相关。为使高温下Si片内产生的应力不超过......
IC制造是提升国民经济与实现电子信息现代化的高新产业之一。IC制造过程一般需要切片、外延、淀积、光刻、离子注入等多个工艺制造......
