硅片直接键合相关论文
研究了基于亲水处理的微观机理分析和不同清洗剂亲水处理的过程及效果,提出了一种独特的三步亲水处理法。这一方法既能顺利完成室......
根据键合过程和半导体中杂质扩散的规律建立了硅片直接键合工艺的数学模型，得到了键合后硅片中杂质的浓度分布．并利用MATLAB软件，编写......
采用硅片直接键合(SDB)工艺代替传统的外延工艺制备出材料片,并将其应用于VDMOSFET器件的研制.实验结果表明,采用SDB硅片制造出的......
<正> 一、引言 集成电路超大规模、超高速、高可靠以及功率集成等前沿课题研究的深入,使SOI材料的开发一直成为人们十分重视的领域......
本文提出在直接键合前用等离子体活化硅片表面的方法。经活化后表面硅悬挂键明显增加,从而对羟基进行有效的化学吸附。低压气体放......
论述了晶片键合技术的发展概况、基本原理和基本方法，并对键合晶片的表征技术作了介绍。最后着重介绍了晶片键合技术在微电子学领域......
SOI(silicononinsulator)高温压力传感器是一种新型的半导体高温压力传感器,具有耐高温、抗辐射、稳定性好等优点,能够解决石油、......
本文的理论与实验结果说明,硅片表面吸附的OH团是室温下硅片相互吸引的主要根源。采用SIMS和红外透射谱定量测量了OH吸附量。开发......
