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碲镉汞三元化合物相关论文
大量生产HgCdTe所遇到的技术问题(上)
1引言第二代红外探测器现已成熟到可生产的水平.这些探测器主要基于HgCdTe技术.在法国红外探测器公司(SOFRADIR),达到大量生产水平......
期刊
红外探测器
碲镉汞三元化合物
大量生产
HGCDTE
技术问题
用Si作衬底的碲镉汞分子束外延研究
1引言碲镉汞(Hg1-xCdxTe)三元合金化合物半导体是一种重要的红外探测器材料.通过调节其组分x值的大小,可以连续改变其禁带宽度(从0......
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SI
分子束外延
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半导体材料
碲镉汞三元化合物
红外探测器
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