磁随机存储器相关论文
传统冯诺依曼架构中处理器与存储单元之间的数据通信开销会导致性能下降和能耗增加,这被称为内存墙。为了克服该瓶颈,可以将计算处......
传统冯诺依曼架构在数据密集型应用中会产生“存储墙”问题,进而降低系统的能效。新兴的存内计算通过在存储中完成运算解决了该问......
磁随机存储器（MRAM）是一种基于电子自旋性质实现信息非易失性存储的新型存储设备,是下一代通用存储器解决方案的有力竞争者。本文针......
自旋转移矩磁随机存储器（Spin-Transfer Torque Magnetoresistance random access memory,STT-MRAM）有望代替传统存储器,其高效,非易......
就如何在 4英寸热氧化硅衬底上沉积高质量的磁性隧道结纳米多层薄膜材料和如何利用光刻方法微加工制备均匀性较好的磁性隧道结方面......
在基于磁性隧道结(Magnetic Tunneling Junction,MTJ)的磁随机存储器(Magnetoresistantive Random Access Memory,MRAM)中利用通过......
介绍了颗粒膜巨磁电阻效应的国内外研究现状及研究意义.由于颗粒膜巨磁电阻本身的科研价值和在磁记录、磁性传感器、磁随机存储器......
巨磁电阻自旋阀多层膜作为磁敏传感器材料与磁随机存储器(MRAM)材料,具有高的可靠性与灵敏度,在航空航天等高科技领域有着极大的应......
分析了磁随机存储器相对于其他类型存储器的优势.同时阐述了在磁随机存储器的发展过程中所面临的各种问题以及相应的解决方法.最后......
介绍了巨磁电阻(GMR)及隧道磁电阻(TMR)效应，讨论了计算机磁随机存储器（MRAM）的最新应用开发。......
新型磁随机存取存储器(MRAM)是今后新一代计算机、信息和通信技术中的核心器件,具有数据非易失性、抗辐射性、高速、高密度、低功......
自第一代磁随机存储器(Magnetoresistive Random Access Memory,MRAM)问世以来,越来越多的科研人员开始着手磁随机存储器的研究。......
据美国《IEEE光谱》杂志报道,美国海军实验室的科学家将一层石墨烯置于镍层和铁层之间,制造出了首个能在室温下过滤自旋的薄膜结点......
基于Landau-Lifshitz-Gilbert-Slonczewski(LLGS)方程,研究平面型Co Fe B/Mg O磁隧道结的磁矩翻转特性.数值计算结果表明,Co Fe B......
基于磁隧道结(Magnetic Tunnelling Junction, MTJ)的磁随机存储器(Magnetic Random Access Memory, MRAM)由于具有非易失性、存储......
在过去半个世纪内,以集成电路为代表的微纳电子技术在很大程度上改变了世界的面貌。然而,如今的微纳电子技术正在发生两方面革命性......
典型的磁性隧道结是"三明治"结构,即由上下两个铁磁电极以及中间厚度为1 nm量级的绝缘势垒层构成。当外加磁场使两铁磁电极的磁矩......
本文对一款16Mb并口型磁随机存储器(MRAM)进行了C_o60总剂量辐照和室温退火实验,深入研究了磁随机存储器的总剂量效应和退火特性。......
文章介绍了作者所在实验室在巨磁电阻（GMR）、隧穿磁电阻（TMR）、庞磁电阻（CMR）和反铁磁钉扎薄膜材料以及单晶金属氧化物、高自旋极化率材......
利用金属掩模法和Ir2 2 Mn78合金反铁磁钉扎层 ,制备了四种钉扎型的Py Al2 O3 Py ,Py Al2 O3 Co ,Co Al2 O3 Py和Co Al2 O3 Co磁性......
