立方碳化硅相关论文
随着电子工业与技术的迅速发展,第一代半导体Si及第二代化合物半导体GaAs,GaP,InP等代表材料已经不能满足现代军事的发展需求。因......
采用无毒、不易燃的六甲基二硅胺烷和氢气在硅(001)单晶上用施加负偏压处理和化学汽相沉积(CVD)方法预沉积定向的βSiC.傅里叶红外......
研究了TiN SiC纳米多层膜中立方SiC(B1 cubicSiC)的形成及其对TiN SiC多层膜力学性能的影响 .结果表明 :在TiN SiC多层膜中 ,非晶......
采用低压化学气相淀积（LPCVD）技术，以CH4和H2的混合气体作为反应源气体，在n型Si（111）衬底上反向外延生长出高迁移率的自掺杂的n型3C-SiC......
采用一种新的LPCVD方法在Si衬底上通过SiO2作为掩蔽层，进行3C—SiC的反向外延的选择性生长．TEM，AFM和XRD结果显示3C-SiC沿（111）面成功实......
采用LPCVD技术，以CH4和H2混合气体为反应源气，在n—Si（111）衬底上生长3C-SiC晶体薄膜。H2在反应过程中作为稀释气体和运输气体，CH4作为......
采用热丝化学气相沉积法在Si(100)衬底上,于较低的衬底温度(400 ℃)下,制备出良好结晶.经对样品进行的X射线衍射(XRD),以及傅立叶......
本文采用LPCVD技术在高温条件下，利用甲烷和氢气混合气体作为碳源，在n—Si（111）衬底上制备3C—SiC薄膜。通过XRD、XPS、SEM、FT—IR和P......
本文为改善反向外延生长3C-SiC薄膜中残余应力的工艺优化方法,采用LPCVD技术,将甲烷和氢气按1∶10比例混合后与n-Si（111）衬底反应,制......
研究了TiN/SiC纳米多层膜中的晶体互促生长效应,采用磁控溅射法制备了一系列不同厚度SiC和TiN的TiN/SiC纳米多层膜以及TiN、SiC单......
该文以B4C和酚醛树脂为烧结助剂,研究了不同β-SiC（立方SiC）添加量对固相烧结α-SiC陶瓷性能的影响,确定了β-SiC最佳添加量。通过XR......
立方碳化硅（3C-SiC）具有高电子迁移率、高导热率、宽禁带、耐高温、耐腐蚀及合成温度低等优异性能;石墨烯具有超高载流子迁移率及超......
硅基半导体材料具有很多特殊的物理和化学性质,是一类很有潜力的材料,在光电子和生物医学领域都有望得到广泛的应用。近来,随着纳......
以化学有机改性对立方碳化硅(β-SiC)导热填料进行表面修饰,通过红外光谱对处理后β-SiC粉体表征。以硅烷偶联剂、硬脂酸以及二者......
应用立方碳化硅新材料做主磨料,采用热压工艺制备新型立方碳化硅弹性磨块,用静水力学天平、巴氏硬度计、XRD、SEM等测试材料的组织......
为了提高柴油机喷油咀偶件的使用寿命,我厂喷油咀偶件的针伐体由原来的GCr15钢改为18Cr_2Ni_4WA钢;针伐由原来的GCr15钢改为W18Cr......
