等离子体辅助相关论文
For single layers of SiO2, Nb2O5, and Ta2O5 that are deposited by plasma-assisted reactive magnetron sputtering (PARMS),......
作为第三代半导体材料，碳化硅(SiC)具有带隙宽、电子饱和速度大、击穿电场强度和热导率高等特性；而一维纳米结构的SiC纳米线，具有了更......
本文的主要内容是金属氧化物薄膜HfO2和ZrO2的制备及相应的样品表征和性质研究。我们摸索发展了一种制备HfO2和ZrO2的薄膜的新方法......
针对传统磁控溅射方法沉积氮化钛涂层时存在沉积温度高、等离子体密度低;而沉积氧化铝薄膜时，条件范围很窄，较难控制，同时也很难获得......
<正> 一、引言目前,全世界许多超导研究组已将注意力集中到制备高 T。超导体的各种技术上。利用各种新技术制备的新材料薄膜至少要......
SiO2纳光子薄膜在光伏领域、纳光子和微电子学领域里有着广泛的应用.采用等离子体辅助电子束蒸发方法在低温条件下制备SiO2/Si纳光......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
期刊
玻璃是一种历史悠久、用途广泛的无定形硅酸盐材料,而石墨烯则是近年来发现的仅由碳原子组成的二维层状材料.石墨烯具有超高的机械......
氧化锌(ZnO)材料,是直接带隙的宽禁带半导体材料,禁带宽度达3.37eV,它在室温下有高达60emV的激子束缚能,正是由于具有这些优异的性......
学位
随着现代制造技术的不断发展,等离子体加工技术的应用日益普遍,其地位也日益显著。因为此类过程的复杂性及学科交叉性,要求从事该......
化学气相沉积法(CVD)是目前石墨烯工业化制备中使用最广泛的一种方法,但是由于反应时对温度要求很高,造成对能源的浪费和工业制造......
